[发明专利]腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种腔室盖组件，位于腔室上方，所述腔室盖组件包括腔室盖和进气组件，所述进气组件与所述腔室盖密闭连通，用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧，其特征在于，所述进气组件包括：

至少两个相互独立的进气管道，其分别与各自的反应气源连通；

第一进气件，所述第一进气件与所述腔室盖连接，所述第一进气件设置有至少两个进气通道，所述进气通道分别与其所对应的所述进气管道连通；

防腐进气转接件，所述防腐进气转接件位于所述第一进气件和所述腔室盖之间，所述防腐进气转接件的一端与所述腔室密闭连通，另一端与全部所述进气通道密闭连通，所述至少两种反应气体进入到所述防腐进气转接件内混合反应，以防止混合反应后的产物对进气组件产生腐蚀；

所述腔室盖组件还包括内衬，所述腔室盖的内侧设置有容纳腔，所述内衬设置于所述容纳腔内，且所述内衬与所述腔室盖密封连接，所述内衬上设置有通气孔，所述通气孔与所述防腐进气转接件的出气口密闭连通，以供所述混合反应后的产物通入所述容纳腔内，并且防止所述混合反应后的产物对所述腔室盖产生腐蚀。

2.根据权利要求1所述的腔室盖组件，其特征在于，所述防腐进气转接件内设有混合腔，所述混合腔具有所述出气口和至少两个进气口，所述进气口分别与所对应的所述进气通道密闭连通，所述混合腔的所述出气口与所述腔室盖的内侧密闭连通。

3.根据权利要求2所述的腔室盖组件，其特征在于，所述腔室盖组件还包括紧固件；所述第一进气件、所述防腐进气转接件上分别设有相对应的安装通孔，且所述腔室盖上设有与所述安装通孔相对应的安装孔；所述紧固件穿过所述安装通孔到达所述安装孔，以将所述第一进气件、所述防腐进气转接件和所述腔室盖三者固定连接在一起。

4.根据权利要求2所述的腔室盖组件，其特征在于，所述腔室盖组件还包括设置在所述容纳腔内的匀流板，所述内衬和所述匀流板沿进气方向依次设置；在所述进气方向上，所述内衬和所述腔室盖之间具有内衬腔，所述匀流板和所述内衬之间具有匀流腔；所述通气孔与所述混合腔的所述出气口密闭连通，以使得所述第一进气件与所述匀流腔密闭连通。

5.根据权利要求4所述的腔室盖组件，其特征在于，所述通气孔的尺寸沿所述进气方向依次增大。

6.根据权利要求4所述的腔室盖组件，其特征在于，所述进气组件包括第二进气件，所述第二进气件与所述腔室盖密封连接，且所述第二进气件与所述内衬腔连通，用于单独向腔室内通入惰性气体。

7.根据权利要求4所述的腔室盖组件，其特征在于，所述腔室盖组件还包括喷淋头，所述喷淋头设置有多个喷淋孔，所述匀流板与所述喷淋头连通。

8.根据权利要求7所述的腔室盖组件，其特征在于，所述防腐进气转接件、所述匀流板和所述喷淋头中的至少一者由陶瓷材料或聚醚醚酮材料制作形成。

9.一种工艺腔室，所述工艺腔室包括腔室本体和与所述腔室本体连接的腔室盖组件，其特征在于，所述腔室盖组件包括权利要求1至8任意一项所述的腔室盖组件。

10.一种半导体处理设备，所述半导体处理设备包括工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括权利要求9所述的工艺腔室。