[发明专利]腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备

说明书

本发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件，进气组件与腔室盖密闭连通，用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧，进气组件包括：至少两个相互独立的进气管道，其分别与各自的反应气源连通；第一进气件，其与腔室盖连接，第一进气件设置有至少两个进气通道，分别与其所对应的进气管道连通；防腐进气转接件，位于第一进气件和腔室盖之间，其一端与腔室密闭连通，另一端与全部进气通道密闭连通，至少两种反应气体进入到防腐进气转接件内混合反应。将多种反应气体送入到防腐进气转接件内发生混合反应，可以避免反应气体的提前混合，从而避免反应气体对腔室盖以及第一进气件的腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种腔室盖组件和一种包括该腔室盖组件的工艺腔室以及一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用广泛的用来沉积多种材料的技术，例如大范围的绝缘材料、大多数金属材料以及大多数金属合金材料。从理论上来说，两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。在CVD反应设备中，气源系统将反应所需气体供入腔室环境中，经过匀流板对气体的匀流，到达晶片上方。

一般的CVD反应，往往需要两种或者以上的气体进行反应。多种气体单独进入到腔室会有混合时间短，不均匀的问题，导致工艺均匀性不好；为了保证气体能够有很好的均匀性，在进入工艺腔室前先混合，一起通过匀流装置进入工艺腔室；但是有一些气体混合之后会有强腐蚀性，导致零件失效、密封失效，产生颗粒，影响工艺结果。

图1为现有技术中腔室盖组件的结构示意图。该腔室盖组件100包括腔室盖110、进气件121、进气管道122、匀流板160和喷淋头170，腔室盖110可以通过紧固件固定在软接件180上，并通过密封圈137与其密封连接，进气件121通过密封圈131与腔室盖110密封连接，进气管道122与进气件121相互连通，匀流板160通过紧固件142与腔室盖110固定连接，喷淋头170通过紧固件144与腔室盖110固定连接。反应气体A和反应气体B通过进气管路122，进入到进气件121内，并在该进气件121内发生混合，反应气体混合后进入到匀流板160的匀流腔162和喷淋头170的喷淋腔171内。

但是，上述结构的腔室盖组件100中，混合气体通过腔室盖110和进气件121时，会对腔室盖110和进气件121造成腐蚀，产生颗粒，影响工艺结果。另外，当腔室盖110造成腐蚀需要更换时，往往需要将上方的阀组、水路、进气管路等拆除，维护复杂，时间长，成本高。再次，混合气体直接进入到匀流腔161和喷淋腔171内，会对其造成较强的冲击力，这会导致匀流板160和喷淋头170的中心出现腐蚀，从而会影响对混合气体的匀流作用。

因此，如何设计一种能够避免腔室盖腐蚀的腔室盖组件成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室盖组件、一种包括该腔室盖组件的工艺腔室以及一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供一种腔室盖组件，位于腔室上方，所述腔室盖组件包括腔室盖和进气组件，所述进气组件与所述腔室盖密闭连通，用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧，所述进气组件包括：

至少两个相互独立的进气管道，其分别与各自的反应气源连通；

第一进气件，所述第一进气件与所述腔室盖连接，所述第一进气件设置有至少两个进气通道，所述进气通道分别与其所对应的所述进气管道连通；

防腐进气转接件，所述防腐进气转接件位于所述第一进气件和所述腔室盖之间，所述防腐进气转接件的一端与所述腔室密闭连通，另一端与全部所述进气通道密闭连通，所述至少两种反应气体进入到所述防腐进气转接件内混合反应，以防止混合反应后的产物对所述进气组件产生腐蚀。