[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201711009577.9 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109712953B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有顶层金属层；
在所述半导体衬底上形成第一钝化层以及位于所述第一钝化层中的应力缓冲层，所述应力缓冲层位于所述顶层金属层的上方；
在所述应力缓冲层上形成焊垫，所述焊垫与所述顶层金属层电连接，在所述应力缓冲层上形成焊垫的步骤包括：
在所述第一钝化层上形成露出所述顶层金属层的另一开口；
在所述半导体衬底上形成焊垫材料层，所述焊垫材料层填充所述另一开口，以形成所述焊垫材料层与顶层金属层之间的电连接；
在所述半导体衬底上形成第二钝化层，所述第二钝化层中形成有露出部分所述焊垫材料层的开口。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力缓冲层与所述第一钝化层具有相同的厚度，所述应力缓冲层为导电材料层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力缓冲层与所述焊垫设置为同一种材料。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成第一钝化层以及位于所述第一钝化层中的应力缓冲层的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成应力缓冲层，所述应力缓冲层与所述顶层金属层连接；
在所述半导体衬底上形成第一钝化层，所述第一钝化层露出所述应力缓冲层并与所述应力缓冲层具有相同的厚度。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成第一钝化层以及位于所述第一钝化层中的应力缓冲层的步骤包括：
在所述半导体衬底上沉积形成第一钝化材料层，对所述第一钝化材料层执行图形化工艺以在拟形成应力缓冲层的位置形成沟槽，所述沟槽露出所述顶层金属层；
在所述沟槽中填充应力缓冲材料层以形成所述应力缓冲层。
6.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有顶层金属层；
形成在所述半导体衬底上的第一钝化层和位于所述第一钝化层中的应力缓冲层，所述应力缓冲层位于所述顶层金属层的上方；以及
形成在所述应力缓冲层上方的焊垫，所述焊垫与所述顶层金属层电连接，所述焊垫通过焊垫材料层填充位于所述第一钝化层中的开口与所述顶层金属层电连接。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述应力缓冲层为导电材料层。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述应力缓冲层与所述第一钝化层具有相同的厚度。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述应力缓冲层与所述焊垫设置为同一种材料。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述应力缓冲层为Al或Al合金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711009577.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装件及其制造方法
- 下一篇：叠层封装件以及叠层封装方法
