[发明专利]具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备

说明书

本发明提供一种具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备，具有清洗功能的晶圆存储装置包括：缓冲存料架及清洗系统，包括框架及若干个隔板，隔板固定于框架上，且在框架内隔离出若干个用于放置晶圆盒的放置区域；清洗系统设置于缓冲存料架上，清洗系统包括进气管路组件及排气管路组件；进气管路组件的一端与气体源相连通，另一端与进气口相连通；排气管路组件一端与排气口相连通；清洗系统用于向晶圆盒内通入清洗气体，以对晶圆盒内部进行清洗。本发明通过可以在工序之间或批次之间在半导体设备内的缓冲储料区对暂存的晶圆盒内部进行清洗，以去除晶圆盒内的残留气体，从而有效防止对晶圆盒内的晶圆造成污染。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别是涉及一种具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备。

背景技术

在现有半导体的批处理工艺(譬如，扩散工艺的批处理)中，在前、中后段之间，装有待处理晶圆的晶圆盒一般会暂存于批处理设备的缓冲储料区内。然而，在晶圆没经过一道工序之后，譬如扩散工艺之前的工序之后，晶圆盒内会残留有反应气体、空气及反应生成气体等等，而现有的批处理设备的缓冲储料区只起到暂存晶圆盒的作用，并不能对所述晶圆盒进行清洗以去除其内部残留的气体。若所述晶圆盒中的残留气体不能被及时去除，晶圆在一定的Q-time之后，残留气体会对所述晶圆盒中的晶圆造成污染或损伤：如图1所示，若所述晶圆盒内残留有F^-或Cl^-时，残留的F^-或Cl^-与空气中的水气反应会生成酸性气体腐蚀晶圆内半导体器件表面的与其内部金属层11相连接的金属互连层12，从而在所述金属互联层12内形成刻蚀孔洞13，进而影响半导体器件的性能；如图2所示，晶圆盒内的残留气体会与与所述金属层11相连接的金属连接柱14的侧面发生反应，而在所述金属连接柱14的侧面形成足状缺陷15，从而影响半导体器件的性能，其中，所述金属连接柱14位于介质层16内；如图3所示，若所述晶圆盒内残留有空气，所述金属层11与所述金属连接柱14的接触面会被氧化而形成界面氧化层17，从而影响所述金属层11与所述金属连接柱14的连接效果。

为了去除所述晶圆盒内的残留气体，现有的一种解决方法为将进行完一道工序或一个批次处理的晶圆盒传出半导体生产设备，暂时存储于特定的存储区域内以向所述晶圆盒内通入氮气进行清洗。但该方法需要将所述晶圆盒进行完一道工序或一个批次处理后即传出半导体设备进行存储，进行下一道工序或下一次批次处理时再将所述晶圆盒传回至所述半导体设备内，这无疑会增加工序或批次之间的间隔时间，从而影响生产效率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备，用于解决现有技术中的半导体生产设备中的缓冲储料区无法对放置于其上的晶圆盒内部进行清洗，无法去除位于其上的晶圆盒内的残留气体的问题，以及为了去除晶圆盒内的残留气体将晶圆盒传出半导体设备至特定存储区域进行暂存清洗而导致的生产效率低下的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供一种具有清洗功能的晶圆存储装置，位于半导体生产设备内，用于暂存晶圆盒，所述晶圆盒上设置有与其内部相连通的进气口及排气口，

所述具有清洗功能的晶圆存储装置包括：

缓冲存料架，包括框架及若干个隔板，所述隔板固定于所述框架上，且在所述框架内隔离出若干个用于放置所述晶圆盒的放置区域；

清洗系统，设置于所述缓冲存料架上，所述清洗系统包括进气管路组件及排气管路组件；所述进气管路组件的一端与气体源相连通，另一端与所述进气口相连通；所述排气管路组件一端与所述排气口相连通；所述清洗系统用于向所述晶圆盒内通入清洗气体，以对所述晶圆盒内部进行清洗。

作为本发明的一种优选方案，所述进气管路组件包括进气端口及进气管路；所述进气端口设置于各所述隔板上，一端与所述进气口相连通，另一端与所述进气管路相连通；所述进气管路远离所述进气端口的一端与所述气体源相连通；