[发明专利]深度摄像器件及制造方法、显示面板及制造方法、装置有效
申请号: | 201711013369.6 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107742631B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 王鹏鹏;王海生;丁小梁;郑智仁;韩艳玲;李扬冰;曹学友;刘伟;张平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 深度 摄像 器件 制造 方法 显示 面板 装置 | ||
本发明提供一种深度摄像器件及其制造方法、显示面板及其制造方法、装置,该深度摄像器件制造方法包括:在基板上形成深度摄像头的接收单元的红外光敏器件;在该基板上的第一像素定义层上形成该深度摄像头的衍射单元的红外发光器件;在红外光敏器件和红外发光器件上形成封装层,并在封装层上形成第一光敏胶层;在第一光敏胶层上形成衍射单元的准直器件,准直器件和红外发光器件在基板上的正投影部分重叠;在准直器件上形成绝缘层,并在绝缘层上形成第二光敏胶层;在第二光敏胶层上形成衍射单元的衍射光学器件,衍射光学器件和准直器件在基板上的正投影重叠。本发明通过在基板上集成小型化的深度摄像头,从而实现了通过较低成本进行深度信息采集。
技术领域
本申请涉及显示装置技术领域,具体涉及一种深度摄像器件及其制造方法、显示面板及其制造方法、装置。
背景技术
随着3D技术的发展,立体显示、机器视觉、卫星遥感等方面的技术应用越来越多地需要获取场景的深度信息,目前通常采用的技术手段是利用深度相机获取相机视野内目标的深度信息。
目前深度相机主要有三种架构,分别为双目立体视觉法、飞行时间法(TOF)和结构光法。
双目立体视觉法使用两个镜头的立体视觉进行场景深度的测量,相机发射光波照射三维场景,光波经过三维场景反射后回到深度相机。根据光波的发射时间和反射光波的接收时间之间的时间差(即相位差)获取三维场景的深度信息。
结构光法(Structured Light)的基本原理是由结构光投射器向被测物体表面投射可控制的光点、光条或光面结构,并由图像传感器(如摄像机)获得图像,通过系统几何关系,利用三角原理计算得到物体的三维坐标。
现有的深度相机难以普及应用的一个原因在于,因其复杂的光学器件和电子器件,通常难以小型化,并且价格昂贵,难以被普通消费者接受。
图1为一种现有的采用结构光法的深度相机进行手势识别的原理示意图。如图1所示,该深度相机需要两个核心部件,一个为投射结构光的投影设备101,另一个为接收打到物体103上的结构光以后反射回光线的摄像设备102。该过程中,投影设备101投射的为一个线结构光,但实际中可能出现各种各样的图样,例如条纹或者散点云等。通过计算摄像设备102接收到的编码结构光信息的形变或者位移相对变化从而反推出物体103的空间坐标。该二个核心部件通常以两个模组器件的形态出现,同时通常难以实现小型化,使得成本相对较高,并且使用不够灵活。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种集成小型化的深度摄像头以实现通过较低成本进行深度信息采集的深度摄像器件及其制造方法、显示面板及其制造方法、装置。
第一方面,本发明提供一种深度摄像器件制造方法,包括:
在基板上形成深度摄像头的接收单元的红外光敏器件;
在该基板上的第一像素定义层上形成该深度摄像头的衍射单元的红外发光器件;
在红外光敏器件和红外发光器件上形成封装层,并在封装层上形成第一光敏胶层;
在第一光敏胶层上形成衍射单元的准直器件,准直器件和红外发光器件在基板上的正投影部分重叠;
在准直器件上形成绝缘层,并在绝缘层上形成第二光敏胶层;
在第二光敏胶层上形成衍射单元的衍射光学器件(Diffractive OpticalElements,简称DOE),衍射光学器件和准直器件在基板上的正投影重叠。
第二方面,本发明提供一种显示面板制造方法,包括上述深度摄像器件制造方法,还包括:
形成红外发光器件的同时在基板上的第二像素定义层上形成显示单元的发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的