[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一发光二极管晶片，包括：

一P型半导体层；

一主动层，设置于该P型半导体层上；

一N型半导体层，设置于该主动层上，其中该N型半导体层具有远离该主动层的一第一顶面；

一第一电极，电性连接于该P型半导体层；以及

K个第二电极，其中K为大于或等于3的正整数；以及

一光阻隔结构，设置于该发光二极管晶片中，并围绕定义出K个子像素区域，该主动层及该N型半导体层分别被该光阻隔结构区隔成对应于该K个子像素区域的K个子部分，且该K个子像素区域共用该P型半导体层，该K个第二电极分别电性连接于该N型半导体层的该K个子部分，该第一顶面被该光阻隔结构围绕区隔成对应于该K个子像素区域的K个发光面。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该P型半导体层具有远离该第一顶面的一第一底面，该主动层具有远离该第一顶面的一第二底面，且该光阻隔结构具有介于该第一底面与该第二底面之间的一第三底面。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该光阻隔结构更具有远离该P型半导体层的一第二顶面，其中该第二顶面不低于该第一顶面。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该光阻隔结构自该第三底面延伸至该第二顶面。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极及该K个第二电极位于该发光二极管晶片相对于该第一顶面的一侧。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，通过该第一电极与任一该K个第二电极的电流量为相同。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极与任一该K个第二电极间的电压为相同。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

L个波长转换层，分别设置于该K个发光面中的L个发光面上，其中L为小于或等于K的正整数。

9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该L个波长转换层中的至少二个波长转换层被激发后产生不同的发光波段。

10.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，L为小于K的正整数，使得该K个发光面中的至少一个发光面上不具有任一该L个波长转换层。

11.根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一透明胶，设置于不具有任一该L个波长转换层的该发光面上。

12.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该L个波长转换层分别于该L个发光面上具有一垂直投影区，且所述垂直投影区的面积分别对应该L个发光面的面积。

13.根据权利要求12所述的像素结构，其特征在于，还包括：

至少一间隔材，设置于该L个波长转换层之间。

14.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该光阻隔结构包括：

一第一部分，自该第一顶面嵌入该N型半导体层以及该主动层；以及

一第二部分，覆盖于该第一顶面，以定义出至少L个容置空间，且该L个波长转换层分别设置于该L个容置空间中。

15.根据权利要求14所述的像素结构，其特征在于，该第二部分凸出于该第一顶面。

16.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该K个发光面中的至少二个发光面具有不同的面积。

17.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该光阻隔结构包括一绝缘层以及一反射层。