[发明专利]像素结构

说明书

一种像素结构，包括发光二极管晶片以及光阻隔结构。发光二极管晶片包括P型半导体层、主动层以及N型半导体层。主动层设置于P型半导体层上。N型半导体层设置于主动层上。N型半导体层具有远离主动层的第一顶面。光阻隔结构设置于发光二极管晶片中，并定义出K个子像素区域，其中K为大于或等于3的正整数。主动层及N型半导体层分别被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个子部分，且K个子像素区域共用P型半导体层。第一顶面被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个发光面。如此一来，可提升晶片切割以及固晶的合格率，同时也避免了多晶片之间光线相互再吸收的问题。

技术领域

本发明是有关于一种像素结构。

背景技术

蓝光发光二极管晶片配合荧光粉制成白光发光二极管的技术由于具有高色彩饱和度、省电、轻薄等特点，近几年几乎全面取代了冷阴极荧光灯(Cold cathodefluorescent lamp，CCFL)，其应用领域由手机、平板电脑、笔电、台式显示器乃至电视等等。

然而，白光发光二极管所能提供的色饱和度仍不如三原色发光二极管。因此，直接利用三原色发光二极管做为自发光显示点像素的显示器的技术也正在发展中。一般RGB元件透过三颗晶片固晶完成，但在制程中以及光学效率上会遇上许多全新的问题与挑战，例如可能会遇到晶片切割合格率低、晶片相互再吸收或固晶公差等影响。

发明内容

有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可解决上述问题的像素结构。

为了达到上述目的，依据本发明的一实施方式，一种像素结构，包括发光二极管晶片以及光阻隔结构。发光二极管晶片包括P型半导体层、主动层、N型半导体层、第一电极以及K个第二电极，其中K为大于或等于3的正整数。主动层设置于P型半导体层上。N型半导体层设置于主动层上。N型半导体层具有远离主动层的第一顶面。第一电极电性连接于P型半导体层。光阻隔结构设置于发光二极管晶片中，并定义出K个子像素区域。主动层及N型半导体层分别被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个子部分，且K个子像素区域共用P型半导体层，K个第二电极分别电性连接于N型半导体层的K个子部分。第一顶面被光阻隔结构区隔成对应于K个子像素区域的K个发光面。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的P型半导体层具有远离第一顶面的第一底面，主动层具有远离第一顶面的第二底面，且光阻隔结构具有介于第一底面与第二底面之间的第三底面。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的光阻隔结构更具有远离P型半导体层的第二顶面。第二顶面不低于第一顶面。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的光阻隔结构自第三底面延伸至第二顶面。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的第一电极及K个第二电极位于发光二极管晶片相对于第一顶面的一侧。

于本发明的一或多个实施方式中，通过上述的第一电极与任一K个第二电极的电流量为相同。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的第一电极与任一K个第二电极间的电压为相同。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的像素结构还包括：L个波长转换层。L个波长转换层分别设置于K个发光面中的L个发光面上，其中L为小于或等于K的正整数。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的L个波长转换层中的至少两个波长转换层被激发后产生不同的发光波段。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的L为小于K的正整数，使得K个发光面中的至少一个发光面上不具有任一L个波长转换层。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的像素结构还包括：透明胶。透明胶设置于不具有任一L个波长转换层的发光面上。

于本发明的一或多个实施方式中，上述的L个波长转换层分别于L个发光面上具有垂直投影区，且垂直投影区的面积分别对应L个发光面的面积。