[发明专利]参考电压发生电路及应用其的半导体存储器

权利要求书

1.一种参考电压发生电路(100)，其特征在于，包括：

第一分压电路(110)，用于产生参考电压，所述第一分压电路的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式，在所述第一工作模式下，所述第一分压电路包括串联连接的第一电阻(R111)和第二电阻(R112)，所述参考电压产生于所述第一电阻和所述第二电阻之间的连接处(A)；在所述第二工作模式下，所述第一分压电路还包括第三电阻(R113)、第四电阻(R114)、第一开关单元(115)和第二开关单元(116)，所述第三电阻并联连接所述第一电阻，所述第四电阻并联连接所述第二电阻，所述第一开关单元连接于所述第三电阻，所述第二开关单元连接于所述第四电阻；以及，

噪声检测电路(120)，连接于所述参考电压，用于检测所述参考电压的变化是否超过预设值，并输出检测结果；

其中，所述第一分压电路接收所述检测结果，当所述检测结果为所述参考电压的变化未超过预设值时，所述第一分压电路进入所述第一工作模式，当所述检测结果为所述参考电压的变化超过预设值时，所述第一分压电路进入所述第二工作模式，所述第一开关单元使所述第三电阻并联连接所述第一电阻，所述第二开关单元使所述第四电阻并联连接所述第二电阻。

2.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其特征在于，所述第三电阻小于所述第一电阻，所述第四电阻小于所述第二电阻。

3.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其特征在于，所述噪声检测电路包括：

第二分压电路(121)，用于产生第一阈值电压(V_{h_rh})和第二阈值电压(V_{l_rh})，所述第二分压电路包括串联连接的第一检测电阻(R121A)、第二检测电阻(R121B)、第三检测电阻(R121C)和第四检测电阻(R121D)，所述第一阈值电压产生于所述第一检测电阻和第二检测电阻之间的连接处(B)，所述第二阈值电压产生于所述第三检测电阻和第四检测电阻之间的连接处(C)；

第一比较器(122)，用于比较所述第一阈值电压和所述参考电压，当所述参考电压大于所述第一阈值电压时，所述噪声检测电路输出的所述检测结果为所述参考电压的变化超过所述预设值；以及，

第二比较器(123)，用于比较所述第二阈值电压和所述参考电压，当所述参考电压小于所第二阈值电压时，所述噪声检测电路输出的所述检测结果为所述参考电压的变化超过所述预设值。

4.根据权利要求3所述的参考电压发生电路，其特征在于，所述第一检测电阻和所述第二检测电阻的电阻值之和大于所述第一电阻，所述第三检测电阻和所述第四检测电阻的电阻值之和大于所述第二电阻。

5.根据权利要求3所述的参考电压发生电路，其特征在于，所述第一检测电阻大于所述第二检测电阻，所述第三检测电阻小于所述第四检测电阻，

6.根据权利要求3所述的参考电压发生电路，其特征在于，所述第一阈值电压大于所述参考电压的标准值，且所述第一阈值电压与所述参考电压的标准值的差值为27mv～33mv，所述第二阈值电压小于所述参考电压的标准值，且所述第二阈值电压与所述参考电压的标准值的差值为27mv～33mv。

7.根据权利要求1所述的参考电压发生电路，其特征在于，所述第一分压电路(210)还包括开关单元(215)，所述开关单元连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间的连接处(A)以及所述第三电阻和所述第四电阻之间的连接处(D)之间，当所述第一分压电路进入第二工作模式时，所述开关单元使所述第三电阻和所述第四电阻分别并联连接所述第一电阻和所述第二电阻。

8.一种半导体存储器，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的参考电压发生电路。