[发明专利]参考电压发生电路及应用其的半导体存储器有效

专利信息
申请号: 201711022807.5 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107610730B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 赖荣钦 申请(专利权)人: 睿力集成电路有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 发生 电路 应用 半导体 存储器
【说明书】:

发明提供一种参考电压发生电路及应用其的半导体存储器,其中,本发明的参考电压发生电路包括用于产生参考电压的第一分压电路以及噪声检测电路,第一分压电路包括第一工作模式和第二工作模式,在第一工作模式下,第一分压电路包括串联连接的第一电阻和第二电阻,参考电压产生于第一电阻和第二电阻之间的连接处;在第二工作模式下,第一分压电路还包括第三电阻和第四电阻,第三电阻并联连接第一电阻,第四电阻并联连接第二电阻。本发明的技术方案可以缩短参考电压的响应时间,为电路提供稳定的参考电压。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种参考电压发生电路及应用其的半导体存储器。

背景技术

参考电压(Voltage reference,简称Vref)是指电路中一个与负载、功率供给、温度漂移、时间等无关,能保持始终恒定的一个电压。参考电压可以被用于电源供应系统的稳压器,模拟数字转换器和数字模拟转换器,以及许多其他测量、控制系统。

如图1所示为现有技术中常用的参考电压发生电路,包括分压电路110′,分压电路110′包括串联连接的电阻R111′和电阻R112′,电阻R111′连接于电源电压VDDQ′,电阻R112′接地VSSQ′,电阻R111′和电阻R112′之间的连接处A′产生的电压即为参考电压Vref′。电阻R111′和电阻R112′相等,即R111′=R112′,所以Vref′=VDDQ′/2。

随着半导体技术的发展,对于参考电压的稳定性要求也越来越高,在一些半导体电路中,电路的最高工作电压和最低工作电压与参考电压的差值仅为100mv,因此稳定的参考电压对于识别信号的逻辑电平非常重要,直接影响电路是否可以正常工作。

发明内容

本发明提供一种参考电压发生电路及应用其的半导体存储器,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本发明的一个方面,本发明提出一种参考电压发生电路,包括:

第一分压电路,用于产生参考电压,所述第一分压电路的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式,在所述第一工作模式下,所述第一分压电路包括串联连接的第一电阻和第二电阻,所述参考电压产生于所述第一电阻和所述第二电阻之间的连接处;在所述第二工作模式下,所述第一分压电路还包括第三电阻和第四电阻,所述第三电阻并联连接所述第一电阻,所述第四电阻并联连接所述第二电阻;以及,

噪声检测电路,连接于所述参考电压,用于检测所述参考电压的变化是否超过预设值,并输出检测结果;

其中,所述第一分压电路接收所述检测结果,当所述检测结果为所述参考电压的变化未超过预设值时,所述第一分压电路进入所述第一工作模式,当所述检测结果为所述参考电压的变化超过预设值时,所述第一分压电路进入所述第二工作模式。

在一些实施例中,所述第三电阻小于所述第一电阻,所述第四电阻小于所述第二电阻。

在一些实施例中,所述噪声检测电路包括:

第二分压电路用于产生第一阈值电压和第二阈值电压,所述第二分压电路包括串联连接的第一检测电阻、第二检测电阻、第三检测电阻和第四检测电阻,所述第一阈值电压产生于所述第一检测电阻和第二检测电阻之间的连接处,所述第二阈值电压产生于所述第三检测电阻和第四检测电阻之间的连接处;

第一比较器,用于比较所述第一阈值电压和所述参考电压,当所述参考电压大于所述第一阈值电压时,所述噪声检测电路输出的所述检测结果为所述参考电压的变化超过所述预设值;以及,

第二比较器,用于比较所述第二阈值电压和所述参考电压,当所述参考电压小于所第二阈值电压时,所述噪声检测电路输出的所述检测结果为所述参考电压的变化超过所述预设值。

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