[发明专利]一种对光箔进行检测以预判低压电子箔腐蚀后外观的均匀性的方法在审
| 申请号： | 201711023060.5 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN109724913A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王洪飞;石阁;董煌成;刘军;谢金昌 | 申请（专利权）人： | 东莞东阳光科研发有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/02 | 分类号： | G01N17/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 523871 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 腐蚀 低压电子 均匀性 光箔 预判 外观色差 腐蚀液 表面氧化膜 厚度均匀性 二级扩孔 局部分布 预先检测 不均匀 铝离子 氧化膜 检测 硫酸 盐酸 观察 保证 | ||
1.一种对光箔进行检测以预判低压电子箔腐蚀后外观的均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
采用腐蚀液对光箔依次进行一级发孔腐蚀和二级扩孔腐蚀，观察腐蚀后的光箔的外观色差变化，该变化与低压电子箔腐蚀后外观的均匀性一致，从而实现了对低压电子箔腐蚀后外观的均匀性的预判；
其中，所述腐蚀液包括盐酸、水、硫酸和铝离子。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光箔为铝箔。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述腐蚀后的光箔的外观色差变化包括发黑和发亮。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述低压电子箔为低压软态电子箔；
优选地，所述低压电子箔腐蚀为：机台十级腐蚀。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液中盐酸的浓度为1mol/L～5mol/L；
优选地，所述水为纯水；
优选地，所述腐蚀液中硫酸的浓度为0.01mol/L～0.05mol/L；
优选地，所述腐蚀液中铝离子的浓度为0.05mol/L～0.10mol/L；
优选地，所述腐蚀液由盐酸、水、硫酸和铝盐配制而成。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液为加热至30℃～60℃的腐蚀液。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述一级发孔腐蚀和二级扩孔腐蚀均为交流腐蚀；
优选地，所述一级发孔腐蚀为：在腐蚀液中，按电压1V～10V，电流10A～30A，频率40HZ～60HZ的条件进行交流腐蚀；
优选地，所述一级发孔腐蚀的时间为40s～80s；
优选地，所述二级扩孔腐蚀为：在腐蚀液中，按电压1V～10V，电流80A～120A，频率20HZ-30HZ的条件进行交流腐蚀；
优选地，所述二级扩孔腐蚀的时间为30s～60s。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在一级发孔腐蚀之前对光箔进行切取的步骤：
切取光箔，使待测光箔横向的长度大于轧制方向的长度；
优选地，所述待测光箔横向长度为整卷光箔横向长度，轧制方向的长度范围为10cm～12cm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)切取铝箔，得到横向×轧制方向为50cm×(10～12)cm的待测铝箔；
(2)采用温度为30℃～60℃的腐蚀液对待测铝箔进行一级发孔腐蚀，具体为：在电压1V～10V，电流80A～120A，频率20HZ-30HZ的条件下进行交流腐蚀40s～80s；
(3)采用温度为30℃～60℃的腐蚀液对一级腐蚀完成后的待测铝箔进行二级扩孔腐蚀，具体为：在电压1V～10V，电流80A～120A，频率20HZ-30HZ的条件下进行交流腐蚀30s～60s；
(4)观察腐蚀完成后的铝箔的外观色差变化，该变化与低压电子箔腐蚀后外观的均匀性一致，从而实现对低压电子箔腐蚀后外观的均匀性的预判；
其中，所述腐蚀液由盐酸、水、硫酸和铝盐配制而成，且腐蚀液中盐酸的浓度为1mol/L～5mol/L。
10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述腐蚀后的光箔的外观色差变化与腐蚀前光箔厚度变化一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞东阳光科研发有限公司，未经东莞东阳光科研发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711023060.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
