[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201711024949.5 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107728364B 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 操彬彬;张辉;艾力 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在基板上设置若干检测像素单元;

所述检测像素单元的制造方法包括:

形成至少两条数据线,在所述数据线上形成缓冲层;

在所述缓冲层上形成设有过孔的有机膜;所述过孔与两条相邻的数据线在所述基板上的正投影部分重叠;

在所述有机膜上形成第一导电层;

其中,所述缓冲层形成失败时,所述第一导电层通过所述过孔短接所述相邻的数据线。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成至少两条数据线,在各所述数据线上形成缓冲层包括:

形成至少两条平行的数据线;

在两条相邻的数据线中分别形成相向的延伸区域;所述过孔与所述延伸区域在所述基板上的正投影部分重叠;

在所述数据线上形成缓冲层。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成至少两条数据线,在所述数据线上形成缓冲层之前还包括:

在基板上形成栅极层,在所述栅极层上形成栅极绝缘层,以及,在所述栅极绝缘层上形成有源层。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述检测像素单元的制造方法还包括:

在所述有源层上形成所述数据线时同步形成源漏极;在所述数据线、所述源漏极和所述有源层上形成所述缓冲层。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在所述有机膜上形成第一导电层之后还包括:

在所述第一导电层上形成钝化层;以及,

在所述钝化层上形成第二导电层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其特征在于,所述检测像素单元设置在虚拟像素区域。

7.一种阵列基板,其特征在于,设置有若干检测像素单元,所述检测像素单元包括:

至少两条数据线;

缓冲层,位于所述数据线上;

有机膜,设有过孔,所述有机膜位于所述缓冲层上,所述过孔与两条相邻的数据线在所述基板上的正投影部分重叠;

第一导电层,位于所述有机膜上;

其中,所述缓冲层缺失时,所述第一导电层通过所述过孔短接所述相邻的数据线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线相互平行,所述数据线包括延伸区域,所述相邻的数据线的延伸区域相向设置,所述过孔与所述延伸区域在所述基板上的正投影部分重叠。

9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元还包括:

栅极层,位于基板上;

栅极绝缘层,位于所述栅极层上;

有源层,位于所述栅极绝缘层上;

所述数据线位于所述有源层上。

10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元还包括:

源漏极,位于所述有源层上;

所述缓冲层位于所述数据线、所述源漏极和所述有源层上。

11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元还包括:

钝化层,位于所述第一导电层上;

第二导电层,位于所述钝化层上。

12.根据权利要求7-11任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元设置在虚拟像素区域。

13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-12任一项所述的阵列基板。

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