[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201711024949.5 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107728364B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 操彬彬;张辉;艾力 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在基板上设置若干检测像素单元;
所述检测像素单元的制造方法包括:
形成至少两条数据线,在所述数据线上形成缓冲层;
在所述缓冲层上形成设有过孔的有机膜;所述过孔与两条相邻的数据线在所述基板上的正投影部分重叠;
在所述有机膜上形成第一导电层;
其中,所述缓冲层形成失败时,所述第一导电层通过所述过孔短接所述相邻的数据线。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成至少两条数据线,在各所述数据线上形成缓冲层包括:
形成至少两条平行的数据线;
在两条相邻的数据线中分别形成相向的延伸区域;所述过孔与所述延伸区域在所述基板上的正投影部分重叠;
在所述数据线上形成缓冲层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成至少两条数据线,在所述数据线上形成缓冲层之前还包括:
在基板上形成栅极层,在所述栅极层上形成栅极绝缘层,以及,在所述栅极绝缘层上形成有源层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述检测像素单元的制造方法还包括:
在所述有源层上形成所述数据线时同步形成源漏极;在所述数据线、所述源漏极和所述有源层上形成所述缓冲层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述在所述有机膜上形成第一导电层之后还包括:
在所述第一导电层上形成钝化层;以及,
在所述钝化层上形成第二导电层。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法,其特征在于,所述检测像素单元设置在虚拟像素区域。
7.一种阵列基板,其特征在于,设置有若干检测像素单元,所述检测像素单元包括:
至少两条数据线;
缓冲层,位于所述数据线上;
有机膜,设有过孔,所述有机膜位于所述缓冲层上,所述过孔与两条相邻的数据线在所述基板上的正投影部分重叠;
第一导电层,位于所述有机膜上;
其中,所述缓冲层缺失时,所述第一导电层通过所述过孔短接所述相邻的数据线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线相互平行,所述数据线包括延伸区域,所述相邻的数据线的延伸区域相向设置,所述过孔与所述延伸区域在所述基板上的正投影部分重叠。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元还包括:
栅极层,位于基板上;
栅极绝缘层,位于所述栅极层上;
有源层,位于所述栅极绝缘层上;
所述数据线位于所述有源层上。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元还包括:
源漏极,位于所述有源层上;
所述缓冲层位于所述数据线、所述源漏极和所述有源层上。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元还包括:
钝化层,位于所述第一导电层上;
第二导电层,位于所述钝化层上。
12.根据权利要求7-11任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述检测像素单元设置在虚拟像素区域。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-12任一项所述的阵列基板。
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