[发明专利]半导体装置及其工作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1存储单元；

第2存储单元；

第1字线，与上述第1存储单元的第1栅电极以及上述第2存储单元的第2栅电极连接；

第1位线，与上述第1存储单元的沟道的一端电连接；

第2位线，与上述第2存储单元的沟道的一端电连接；

源极线，与上述第1存储单元以及上述第2存储单元的沟道的各自的另一端电连接；

行控制电路，向上述第1字线供给电压；以及

列控制电路，向上述第1位线、上述第2位线、及上述源极线供给电压，

在将上述第1存储单元以及上述第2存储单元的数据删除后，

使上述第1栅电极与上述第1存储单元的沟道之间的第1电压，不同于上述第2栅电极与上述第2存储单元的沟道之间的第2电压，并且使上述第1存储单元以及上述第2存储单元的阈值电压偏移。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述阈值电压在删除状态的阈值电压范围内偏移。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1存储单元包含形成于上述第1字线、沿第1方向延伸并包含上述第1存储单元的电流通路的第1柱状部，

上述第2存储单元包含形成于上述第1字线、沿上述第1方向延伸并包含上述第2存储单元的电流通路的第2柱状部，

上述第1存储单元的包含与上述第1方向交叉的第2方向的面上的截面的面积，比上述第2存储单元的包含上述第2方向的面上的截面的面积小，

上述第1电压具有比上述第2电压低的值。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还具备：

第3存储单元，将沟道以串联的方式连接于上述第1存储单元，并层叠地形成于上述第1存储单元；以及

第2字线，与上述第3存储单元的第3栅电极电连接，

在将上述第1存储单元～第3存储单元的数据删除之后，

使上述第3栅电极与上述第3存储单元的沟道之间的第3电压与上述第1电压不同，使上述第3存储单元的阈值电压偏移。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在上述第3存储单元层叠于上述第1存储单元的上层的情况下，

上述第3电压具有比上述第1电压高的值。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备：

第4存储单元，具有与上述第1字线连接的第4栅电极；

第5存储单元，具有与上述第1字线连接的第5栅电极；

第3位线，与上述第4存储单元的沟道的一端电连接；以及

第4位线，与上述第5存储单元的沟道的一端电连接，

将上述第1存储单元、第2存储单元、第4存储单元以及第5存储单元的数据删除之后，

使上述第4栅电极与上述第4存储单元的沟道之间的第4电压、以及上述第5栅电极与上述第5存储单元的沟道之间的第5电压中的至少一个电压与上述第1电压不同，使上述第4存储单元以及第5存储单元的阈值电压偏移。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

基于上述第1存储单元、第2存储单元、第4存储单元以及第5存储单元的写入速度以及删除速度，设定上述第1电压、第2电压、第4电压以及第5电压的值。