[发明专利]彩膜基板的制作方法、彩膜基板及显示面板有效
申请号: | 201711027589.4 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107785401B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 张星;李伟;张建业 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种彩膜基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成对位标记的图形,所述对位标记包括对应制作彩色光阻时所用的标记和对应制作黑矩阵时所用的原始标记;
根据所述对位标记,在所述衬底基板上形成彩色光阻的图形,同时在对应制作黑矩阵时所用的原始标记远离所述衬底基板的一侧形成与该原始标记重合的复制标记,具体包括:
在所述衬底基板上形成蓝色光阻的图形的同时在对应制作黑矩阵时所用的标记远离所述衬底基板的一侧形成与该原始标记重合的第一复制标记,所述第一复制标记的膜厚与所述蓝色光阻的膜厚相等;
在所述衬底基板上形成绿色光阻的图形的同时在所述第一复制标记远离所述衬底基板的一侧形成与第一复制标记重合的第二复制标记,所述第二复制标记的膜厚与所述绿色光阻的膜厚相等;
在所述衬底基板上形成红色光阻的图形的同时在所述第二复制标记远离所述衬底基板的一侧形成与第二复制标记重合的第三复制标记,所述第三复制标记的膜厚与所述红色光阻的膜厚相等;
根据所述复制标记,在所述衬底基板上形成位于所述彩色光阻界定出的区域内的黑矩阵的图形。
2.如权利要求1所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述彩色光阻和黑矩阵远离所述衬底基板的一侧同时形成平坦层和隔垫物的图形,所述隔垫物位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧且与所述黑矩阵位置相对。
3.如权利要求2所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,在所述彩色光阻和黑矩阵远离所述衬底基板的一侧同时形成平坦层和隔垫物的图形,具体包括以下步骤:
在所述彩色光阻和黑矩阵远离所述衬底基板的一侧形成负性光刻胶膜层;
以掩模板为保护掩模,对所述负性光刻胶膜层进行曝光,使所述负性光刻胶膜层对应形成所述平坦层的区域部分曝光,对应形成所述隔垫物的区域未曝光;
对曝光后的所述负性光刻胶膜层进行显影。
4.如权利要求1~3任一项所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,根据所述复制标记,在所述衬底基板上形成位于所述彩色光阻界定出的区域内的黑矩阵的图形,具体为:
采用喷墨打印的方法在所述衬底基板上形成位于所述彩色光阻界定出的区域内的黑矩阵的图形;或者,
采用掩模构图工艺在所述衬底基板上形成位于所述彩色光阻界定出的区域内的黑矩阵的图形。
5.如权利要求2所述的彩膜基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述隔垫物的表面形成辅助阴极的图形。
6.一种彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板根据权利要求1~5任一项所述的彩膜基板的制作方法制作而成。
7.一种显示面板,所述显示面板为有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括如权利要求6所述的彩膜基板和与所述彩膜基板相对设置的有机发光二极管显示基板,以及填充于所述彩膜基板和所述有机发光二极管显示基板之间的填充物,位于所述彩膜基板的隔垫物的表面的辅助阴极与所述有机发光二极管显示基板的阴极层接触设置。
8.一种彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板根据权利要求1~4任一项所述的彩膜基板的制作方法制作而成。
9.一种显示面板,所述显示面板为液晶显示面板,其特征在于,包括如权利要求8所述的彩膜基板和与所述彩膜基板相对设置的阵列基板,以及填充于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的