[发明专利]彩膜基板的制作方法、彩膜基板及显示面板有效
申请号: | 201711027589.4 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107785401B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 张星;李伟;张建业 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩膜基板 制作方法 显示 面板 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板及显示面板,以提高彩膜基板的制作精度。彩膜基板的制作方法包括:在衬底基板上形成对位标记的图形,对位标记包括对应制作彩色光阻时所用的标记和对应制作黑矩阵时所用的原始标记;根据对位标记,在衬底基板上形成彩色光阻的图形,同时在对应制作黑矩阵时所用的原始标记远离衬底基板的一侧形成与该原始标记重合的复制标记;根据复制标记,在衬底基板上形成位于彩色光阻界定出的区域内的黑矩阵的图形。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板及显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示装置由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点,已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
OLED显示技术实现彩色显示的方式大致可以分为三种:红(R)、绿(G)、蓝(B)独立像素发光方式、色彩转换发光方式以及白光OLED与彩色滤光片结合的方式。其中,白光OLED与彩色滤光片结合的方式沿用液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)全彩化的原理,只利用发白光的OLED发光,再使用彩色滤光片滤出R、G、B三原色,由于采用了单一种OLED光源,R、G、B三原色的亮度寿命相同,没有色彩失真现象,因此广泛应用在大尺寸的显示面板上。应用该种方式的OLED顶发射器件通常由OLED显示基板、彩膜基板以及填充于OLED显示基板与彩膜基板之间的填充层组成。
现有的彩膜基板包括衬底基板以及依次通过构图工艺制作于衬底基板之上的对位标记、黑矩阵、R光阻、G光阻、B光阻、平坦层、辅助阴极、隔垫物和用于实现辅助阴极与OLED基板的阴极层桥接的接触电极层,其中,对位标记包括对应制作其后各层时所用掩模板与衬底基板对位所使用的标记,利用自动对位设备识别这些标记可以将掩模板与衬底基板准确对位,从而实现各层在衬底基板上的图形化制作。现有技术存在的缺陷在于,在对位标记之上形成整层黑矩阵后,由于黑矩阵材料的遮光度较高,自动对位设备无法识别对应制作黑矩阵图形时所用掩模板与衬底基板对位所使用的标记,从而导致无法正常对位,制作精度较低。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种彩膜基板的制作方法、彩膜基板及显示面板,以提高彩膜基板的制作精度。
本发明实施例提供了一种彩膜基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成对位标记的图形,所述对位标记包括对应制作彩色光阻时所用的标记和对应制作黑矩阵时所用的原始标记;
根据所述对位标记,在所述衬底基板上形成彩色光阻的图形,同时在对应制作黑矩阵时所用的原始标记远离所述衬底基板的一侧形成与该原始标记重合的复制标记;
根据所述复制标记,在所述衬底基板上形成位于所述彩色光阻界定出的区域内的黑矩阵的图形。
采用本发明实施例提供的制作方法,通过在衬底基板上先制作彩色光阻的图形,并在制作彩色光阻的同时在对应制作黑矩阵时所用的原始标记之上形成与该原始标记重合的复制标记,这样制作黑矩阵时所用的最终标记的高度为上述原始标记与复制标记的高度之和,因此在衬底基板上形成整层黑矩阵膜层后,由于该对位标记处的高度相对较高使得衬底基板表面反射率不同,有助于自动对位设备识别出该对位标记,从而实现在能够准确对位的前提下制作黑矩阵的图形,进而能够提高彩膜基板的制作精度;此外,采用现有技术中在衬底基板上先制作黑矩阵后制作彩色光阻的方法,往往彩色光阻会部分覆盖于黑矩阵之上,这样就会增加衬底基板表面的段差,不利于后期表面平坦化的处理,而采用本发明实施例的制作方法,衬底基板表面的最大段差即为彩色光阻层的膜厚,因此更易实现表面的平坦化处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的