[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201711034116.7 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727865B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 马莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种高压MOS半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于所述氧化层之上的第一导电层；
形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；
在所述第一导电层的侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层的侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；
在所述第一绝缘层之上形成第二导电层，所述第一导电层沿第一方向延伸，所述第二导电层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。
2.根据权利要求1所述的高压MOS半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一导电层的侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁包括：
形成覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层；
去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分，保留位于所述第一导电层的侧壁的部分。
3.根据权利要求2所述的高压MOS半导体器件的制作方法，其特征在于，采用整面刻蚀方法去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分。
4.根据权利要求2所述的高压MOS半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层通过炉管工艺形成。
5.根据权利要求3所述的高压MOS半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一导电层的侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁还包括：
执行光刻胶去除工艺和湿法去除工艺，以去除聚合物。
6.根据权利要求1所述的高压MOS半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层之上形成第二导电层包括：
沉积覆盖所述第一绝缘层的第二导电材料层；
对所述第二导电材料层进行图形化刻蚀，以形成所述第二导电层。
7.一种高压MOS半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于所述氧化层之上的第一导电层；
在所述第一导电层和氧化层之上形成有第一绝缘层；
在所述第一导电层的侧壁上的所述第一绝缘层之上形成有间隙壁，以覆盖所述第一导电层的侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；
在所述第一绝缘层之上形成有第二导电层，所述第一导电层沿第一方向延伸，所述第二导电层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。
8.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的高压MOS半导体器件以及与所述高压MOS半导体器件连接的电子组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
