[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；在所述第一绝缘层之上形成第二导电层。该制作方法可以克服目前的高压器件中第二多晶硅层存在桥接的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

在集成电路制造中不仅涉及常规低的MOS器件，还会涉及各种高压MOS器件，以应用于高压场景中。目前开发出的一种高压器件产品采用交叉状的双层多晶硅来实现耐高压，其原理为第一多晶硅层、中间氧化层和第二多晶硅层会产生感生电势，将空穴往下推(PMOS器件为例)，形成高阻区从而实现耐高压。在研发过程中发现第二多晶硅层有桥接(bridge)现象。晶圆失效分析显示在第一多晶硅层的侧壁区域，在氧化层底部有第二多晶硅层残留，从而导致第二多晶硅层桥接。

因此有必要提出一种半导体器件及其制作方法、电子装置，以至少部分解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件及其制作方法，可以克服目前的高压器件中第二多晶硅层存在桥接的问题。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化层和位于氧化层之上的第一导电层；

形成覆盖所述第一导电层和氧化层的第一绝缘层；

在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁，以覆盖所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层下方的底切区域；

在所述第一绝缘层之上形成第二导电层。

可选地，所述在所述第一导电层侧壁上的所述第一绝缘层上形成间隙壁包括：

形成覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层；

去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分，保留位于所述第一导电层侧壁的部分。

可选地，采用整面刻蚀方法去除所述第二绝缘层位于所述氧化层和所述第一导电层顶部的部分。

可选地，所述第二绝缘层通过炉管工艺形成。

可选地，所述在所述第一导电层的侧壁上形成位于所述第一绝缘层之上的间隙壁还包括：

执行光刻胶去除工艺和湿法去除工艺，以去除聚合物。

可选地，所述在所述第一绝缘层之上形成第二导电层包括：

沉积覆盖所述第一绝缘层的第二导电材料层；

对所述第二导电材料层进行图形化刻蚀，以形成所述第二导电层。

可选地，所述第一导电层沿第一方向延伸，所述第二导电层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。