[发明专利]单面湿法黑硅硅片的制备方法

权利要求书

1.一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；

采用动态反应对所述硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；

采用湿法刻蚀对所述双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及

将两两相并的所述单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片；

对所述硅片进行双面抛光的步骤中，采用碱抛光液或者酸抛光液进行双面抛光；

其中，动态反应为双面抛光的过程中采用鼓泡或者循环方式。

2.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，对所述硅片进行双面抛光的步骤中，采用碱抛光液进行双面抛光，所述碱抛光液的浓度为2％～30％，抛光温度为30℃～90℃，抛光时间为1min～10min。

3.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，对所述硅片进行双面抛光的步骤中，采用酸抛光液进行双面抛光，所述酸抛光液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，其中，HNO₃与HF的摩尔比为1:1～3:1。

4.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，对所述硅片进行双面抛光之后，还包括以下步骤：

依次对双面抛光后的硅片进行第一次纯水清洗、酸清洗以及第二次纯水清洗；

其中，进行第一次纯水清洗的时间为50s～200s；采用1％～6％的硝酸溶液或者硫酸溶液进行酸清洗，酸清洗的时间为20s～200s；进行第二次纯水清洗的时间为50s～200s。

5.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀对所述双面抛光后的硅片进行单面制绒的步骤为：

在静置条件下，对所述双面抛光后的硅片进行金属纳米颗粒沉积，得到外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片；

在静置条件下，对所述外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片进行金属纳米颗粒辅助刻蚀，得到外表面具有纳米孔结构的硅片；以及

在静置条件下，对所述外表面具有纳米孔结构的硅片进行酸刻蚀，得到外表面具有亚微米孔结构的硅片。

6.根据权利要求5所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，在静置条件下，对所述双面抛光后的硅片进行金属纳米颗粒沉积的步骤为：将所述双面抛光后的硅片浸入氢氟酸与可溶性金属盐溶液的混合溶液中，静置反应之后在所述双面抛光后的硅片外表面沉积有金属纳米颗粒；

其中，所述氢氟酸的浓度为0.5％～3％；所述可溶性金属盐溶液中金属离子的摩尔浓度为1E-4mol/L～1E-2mol/L；反应温度为20℃～30℃。

7.根据权利要求5所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，在静置条件下，对所述外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片进行金属纳米颗粒辅助刻蚀的步骤为：将所述外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片浸入双氧水和氢氟酸的混合溶液中，静置反应之后在所述外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片外表面形成纳米孔结构；

其中，所述双氧水的浓度为20％～45％；所述氢氟酸的浓度为5％～15％，反应温度为25℃～45℃。

8.根据权利要求5所述的单面湿法黑硅硅片的制备方法，其特征在于，在静置条件下，对所述外表面具有纳米孔结构的硅片进行酸刻蚀的步骤为：将所述外表面具有纳米孔结构的硅片浸入硝酸溶液和氢氟酸的混合溶液中，静置反应之后在所述外表面具有纳米孔结构的硅片外表面形成亚微米孔结构；

其中，所述硝酸溶液的浓度为20％～60％；所述氢氟酸的浓度为2％～12％；反应温度为5℃～20℃。