[发明专利]单面湿法黑硅硅片的制备方法

说明书

本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。上述单面湿法黑硅硅片的制备方法中，由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。

技术领域

本发明涉及硅片制造技术领域，特别是涉及一种单面湿法黑硅硅片的制备方法。

背景技术

黑硅技术由于陷光效果好、能大幅提升多晶硅片的转化效率、并能解决金刚线切多晶硅片的绒面难题，广受多晶电池厂家的青睐。传统的槽式湿法黑硅中，先对硅片进行抛光，再插入花篮中，浸没在溶液中进行制绒，所以两面皆可形成黑硅绒面。但是在电池的制造中，背面的绒面结构对电池没有任何作用，反而会影响其背铝的钝化效果，所以在电池制备中，硅片背面的黑硅绒面需要被去除。因此，传统的槽式湿法黑硅的工艺复杂，不利于应用。

发明内容

基于此，有必要针对如何简化湿法黑硅工艺的问题，提供一种能够简化制备方法的单面湿法黑硅硅片的制备方法。

一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，包括如下步骤：

将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；

采用动态反应对所述硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；

采用湿法刻蚀对所述双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及

将两两相并的所述单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。

上述单面湿法黑硅硅片的制备方法中，由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法，有利于应用。

在其中一个实施例中，对所述硅片进行双面抛光的步骤中，采用碱抛光液进行双面抛光，所述碱抛光液的浓度为2％～30％，抛光温度为30℃～90℃，抛光时间为1min～10min。

在其中一个实施例中，对所述硅片进行双面抛光的步骤中，采用酸抛光液进行双面抛光，所述酸抛光液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，其中，HNO₃与HF的摩尔比为1:1～3:1。

在其中一个实施例中，对所述硅片进行双面抛光之后，还包括以下步骤：

依次对双面抛光后的硅片进行第一次纯水清洗、酸清洗以及第二次纯水清洗；

其中，进行第一次纯水清洗的时间为50s～200s；采用1％～6％的硝酸溶液或者硫酸溶液进行酸清洗，酸清洗的时间为20s～200s；进行第二次纯水清洗的时间为50s～200s。

在其中一个实施例中，采用湿法刻蚀对所述双面抛光后的硅片进行单面制绒的步骤为：

在静置条件下，对所述双面抛光后的硅片进行金属纳米颗粒沉积，得到外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片；

在静置条件下，对所述外表面沉积有金属纳米颗粒的硅片进行金属纳米颗粒辅助刻蚀，得到外表面具有纳米孔结构的硅片；以及

在静置条件下，对所述外表面具有纳米孔结构的硅片进行酸刻蚀，得到外表面具有亚微米孔结构的硅片。