[发明专利]一种智能嗅觉气味阵列传感器及制作方法在审

专利信息
申请号: 201711036310.9 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107643326A 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 吴青海;吴云翔;张辉 申请(专利权)人: 智能(厦门)传感器有限公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361000 福建省厦门市中*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 智能 嗅觉 气味 阵列 传感器 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及气味传感器技术领域,具体为一种智能嗅觉气味阵列传感器及制作方法。

背景技术

迄今为止,牵涉气体探测,主要有四种常规技术:1、金属氧化物半导体(MOS)气体传感器,对许多还原气体都敏感,缺点是选择性很差,2、催化燃烧,利用催化剂助燃烧产生热量使传感器电阻变大的原理,缺点是只对可燃性气体响应、灵敏度低。3、电化学传感器对一些重要气体有一定选择性响应,缺点是寿命短,稳定性差。4、光学气体传感器:利用部分气体在红外光区有吸收谱,使用红外光光源发生器,滤波器,和红外探测器制成气体传感器、选择性好,缺点是仪器复杂、本身就相当于一部仪器,造价昂贵。

这些常规气体传感器的共同点是制造复杂,基本上是一个个手工单一装配,造成性能低,一致性差,无法实现大批量规模的生产。

世上目前用量最大的是半导体MOS结构的传感器,传感器需工作于200℃以上的温度,制造方法是高温燃烧,称为第一代,第二代采用丝绢漏印技术把传感器和加热器都印刷在陶瓷基片上,称为第二代产品。这类气体传感器的灵敏度取决于传感颗粒面积与体积比,颗粒越小,面积与体积比越大,灵敏度越高。就是取决于传感器颗粒大小和多孔性。第一代燃烧型,传感体很大,颗粒很大,表面与体积比很小,第二代厚膜的颗粒只是略小,表面与体积比值仍很低,造成这二代产品灵敏度都很低。要取得高灵敏度的条件,就是传感器颗粒需达到最小,达到纳米级。传感器体需做成薄膜, 否则无法做到颗粒为纳米的传感器。此外,目前所有气体传感器只包含传感器本身和加热器,没有测温器,没有测温功能,无法做精准温度控制,造成气体传感器检测精度很低。

目前气体传感器结构均非薄膜,无法达到高灵敏度,高一致,和高稳定性的批量生产,这是迄今世上单种气体传感器的背景状况。

嗅觉传感最起码要求需有多种气味传感器的阵列,目前世界上还没有可以探测香臭的传感器,也没有多种气味类型于一个芯片上的阵列传感器出现,也就是无法实现类似人鼻嗅觉电性能转换与探测的解决途径。

发明内容

本发明的目的在于提供一种智能嗅觉气味阵列传感器及制作方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种智能嗅觉气味阵列传感器,其组成包括:芯片,所述的芯片上表面设置有电绝缘层,所述的电绝缘层内设置有加热器和测温器,所述的测温器设置在加热器之间,所述的电绝缘层上表面设置有不同类型的气味传感器膜层,不同类型所述的气味传感器膜层成阵列布置,所述的气味传感器膜层里嵌入不同类型气味传感器,所述的不同类型气味传感器上设置有传感器电极,所述的电绝缘层上表面两侧设置有数个电极引线柱。

优选的,所述的智能嗅觉气味阵列传感器,数个所述的电极引线柱用于支撑芯片兼充导电引线。

优选的,所述的智能嗅觉气味阵列传感器的制作方法,

第一:利用微电子平面技术光刻,扩散,蒸发技术基片上制造加热器,测温器电极;

第二:在上述电极上覆盖电绝缘层 ;

第三:在电电绝缘层上制造各种类型传感器的电极引线;

第五:在上述各种类型传感器的电极引线上的限定区域,分别制造不同类型的气味传感器薄膜;

第六:对各种类型气味传感器膜层进行纳米化,使其颗粒具有最高的表面积/体积比。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:该传感器使用微电子芯片技术,使传感器的制造进入微米级,在同一芯片上制造多种类型气味传感器阵列,改变常规气体传感器单一传感器制造的历史,实现人类气味传感所需嗅觉神经感元阵列,一个芯片可以集成多达十种不同香味类型的阵列芯片;使用微电子技术,使气体与气味传感器的制造使用硅集成电路平面技术,这样,气体传感器最主要,最大产量的半导体气体器(MOS)的传感膜制造,加热装置和测温器,可以在一个平面上完成,克服常规气体传感器不带测温器,无法实现精确温度控制的缺点;采用近代的MEMS技术:由于半导体气体传感器必须工作于较高温度,每个传感器都需加热,芯片的加热系统,互相电隔离,阻断传感器的热量流失,以最少功率使传感器长期稳定工作成为核心技术的一部分;薄膜化技术:把传感器、加热器和测温器用IC技术做在同一芯片上(On chip),使用光亮表面,IC技术实现传感器薄膜化,薄膜技术使传感器,加热器,测温器分层电隔离;传感器颗粒达到纳米水平,大大提高了传感器的灵敏度;采用耐高温基质材料,结合MEMS及时,使传感器的有源区达到极薄,使用悬空阻断热流失,使每个传感器的加热功率低于0.1使传感器阵列芯片的可靠性,稳定性大大提高。

附图说明

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