[发明专利]变压器不拆高压引线下测试介质损耗因数及电容量的方法有效

专利信息
申请号: 201711037973.2 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107807282B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 徐育福;林滔;林瀚伟;孙亚辉;黄金魁;刘旭;吴方连;陈闽江 申请(专利权)人: 国网福建省电力有限公司;国家电网公司;国网福建省电力有限公司检修分公司
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 35100 福州元创专利商标代理有限公司 代理人: 蔡学俊;钟茜
地址: 350003 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 变压器 高压 引线 测试 介质 损耗 因数 容量 方法
【权利要求书】:

1.一种变压器不拆高压引线下测试介质损耗因数及电容量的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1:拆除变压器500Kv侧套管与500Kv侧导线连接的导线,并将其分开,使得两者位置拉开至大于1m的位置,该位置记为HV1;现场拆开500Kv侧避雷器底座导体与泄漏电流表的连接处M1;

步骤S2:将介质损耗测试仪的高压线HV接上500KV侧避雷器顶部均压环A0上,并且将500Kv侧电压互感器的第一节与第二节法兰交叉处,记为A1,将500Kv侧电压互感器的第二节与第三节法兰交叉处,记为A2,将M1与A2短接后,接入介质损耗测试仪的Cx端;

步骤S3:断开现场500Kv侧接地刀闸后,操作介质损耗测试仪,分别采用正接线法,加压10Kv测试,获取数据电容值C1和介损值tanδ1;采用反接M法,加压10Kv测试,获取数据电容值C2和介损值tanδ2以及电容值C3和介损值tanδ3;合上上述500Kv侧接地刀闸;

步骤S4:拆除变压器220Kv侧套管与220Kv侧导线连接的部分,并将其分开,使得两者大于1m的位置,该位置记MV1点;现场拆开220Kv侧避雷器底座导体与泄漏电流表的连接处M2;

步骤S5:将介质损耗测试仪的高压线HV接上220Kv侧的避雷器上的均压环B0上,将220Kv侧电压互感器的第1节与第2节法兰交叉处记为B1;将M2与B1短接后,接入介损仪的Cx端;

步骤S6:断开现场220Kv侧接地刀闸后,操作介质损耗测试仪,分别采用正接线法,加压10Kv测试,获取电容值C4和介损值tanδ4;采用反接M法,加压10Kv测试,获取电容值C5和介损值tanδ5以及电容值C6和介损值tanδ6;合上现场220Kv侧接地刀闸;

步骤S7:拆除变压器中性点套管引线接线OV1,将HV1与变压器500Kv侧套管相连,将MV1与变压器200Kv侧套管相连,变压器500Kv侧套管与变压器220Kv侧套管和变压器中性点套管通过导线HMO短接;拆除低压绕组套管引线接线,并将低压套管间通过导线LV短接;将M1与A2通过第一导线短接接地,以及将M2与B1通过第二导线短接接地;

步骤S8:将介质损耗测试仪的高压线HV与导线HMO连接,将导线LV通过第三导线接地,现场断开500Kv侧接地刀闸和220Kv侧接地刀闸后,操作介质损耗测试仪,采用反接线,加压10Kv测试,获取数据电容值C7和介损值tanδ7;合上500Kv侧接地刀闸和220Kv侧接地刀闸,然后拆除第三导线;

步骤S9:将介质损耗测试仪的高压线HV与导线HMO连接,且导线HMO与导线LV通过第四导线短接,现场断开500Kv侧接地刀闸和220Kv侧接地刀闸后,操作介损测试仪,采用反接线,加压10Kv测试,获取数据电容值C8和介损值tanδ8;合上500Kv侧接地刀闸和220Kv侧接地刀闸,然后拆除第四导线;

步骤S10:将介质损耗测试仪高压线HV与导线LV连接,将导线HMO通过第五导线短接接地,操作介质损耗测试仪,采用反接线,加压10Kv测试,获取数据电容值C9和介损值tanδ9;

步骤S11:恢复中性点套管引线接线OV1,拆除导线HMO和导线LV,恢复低压绕组套管引线接线;

步骤S12;获取高压和中压对低压及地的介损值tanδHM和高压和中压对低压及地的电容值CHM

CHM=C7-C2-C5-C1-C4

以及高压、中压和低压对地的介损值tanδHML和高压、中压和低压对地的电容值CHML

CHML=C8-C2-C5-C1-C4

以及低压对高压、中压及地的介损值tanδL和低压对高压、中压及地的电容值CL

tanδL=tanδ9;

CL=C9。

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