[发明专利]晶振焊接方法在审
| 申请号： | 201711039151.8 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109727879A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宿志影 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊接 金属引线框 支撑台阶 晶振片 晶振 涂布焊料 烘干 | ||
1.一种晶振焊接方法，包括：
提供金属引线框，所述金属引线框设有支撑台阶；
提供晶振片；
在所述金属引线框的所述支撑台阶上涂布焊料并烘干；及
放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接。
2.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述晶振片的厚度等于所述晶振片与所述金属引线框径向配合间隙。
3.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述焊料的涂布厚度为所述晶振片压在所述焊料表面后高于所述金属引线框的表面0.03mm-0.06mm。
4.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：在焊接前提供的所述晶振片依次经过重铬酸钾硫酸混合溶液清洗和表面毛化处理。
5.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述支撑台阶的宽度为0.2mm-0.4mm，所述支撑台阶的侧壁厚度为0.2mm-0.4mm。
6.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述焊料在110℃-130℃下进行烘干处理5-6小时。
7.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述焊料为钛锆铜镍焊料。
8.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接的步骤包括：将放置好的所述晶振片和所述金属引线框放置在真空炉中，在所述真空炉的真空度小于6.65×10-3Pa时进行加热焊接。
9.如权利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接的步骤之后，还包括对所述晶振片、所述金属引线框和所述焊料之间的间隙进行补焊。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司，未经东莞新科技术研究开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711039151.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：树脂成型装置及树脂成型品的制造方法
- 下一篇：发光二极管晶粒的检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
