[发明专利]晶振焊接方法在审
申请号: | 201711039151.8 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN109727879A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 宿志影 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊接 金属引线框 支撑台阶 晶振片 晶振 涂布焊料 烘干 | ||
本发明的晶振焊接方法,包括:提供金属引线框,所述金属引线框设有支撑台阶;提供晶振片;在所述金属引线框的所述支撑台阶上涂布焊料并烘干;放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接。该焊接方法焊接温度低、效率高、可靠性好、成本低。
技术领域
本发明涉及半导体芯片焊接封装,尤其涉及一种晶振焊接方法。
背景技术
半导体芯片通常是由众多晶体管组成的可以完成一定功能的集成电路,通常一块芯片需要外部时钟提供准确的时钟频率,为保证集成电路的功能可靠,向电路提供的时钟频率必须稳定可靠。现有的芯片一般是安装在电路板上时,由外部的晶振提供时钟频率,但这样的由外部晶振提供时钟的芯片,一来芯片和晶振都会占据一定的空间,整个电路占据的面积比较大,集成度不高,二来由于晶体和芯片是分开的,其工作环境始终会有差别,使得晶体与芯片的配合会存在误差,影响芯片的稳定性。而且现有的芯片采用的晶振通常是贴片晶振,但由于贴片晶振的成本较高,不利于降低整个芯片的成本。
因此,亟待一种改进的晶振焊接方法以克服以上缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种焊接温度低、效率高、可靠性好、成本低的晶振焊接方法。
为实现上述目的,本发明的晶振焊接方法,包括:
提供金属引线框,所述金属引线框设有支撑台阶;
提供晶振片;
在所述金属引线框的所述支撑台阶上涂布焊料并烘干;
放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接。
与现有技术相比,本发明的焊接方法焊接温度低、效率高、可靠性好、成本低,该方法不需金属化,也不需要昂贵的真空镀膜设备和贵金属靶材,且没有中间处理过程长而复杂、费时的缺陷,缩短总的焊接时间,提高了生产效率。本发明的焊接在真空时一次即可完成,对焊接设备要求极低,焊接效率高、成本低,产品焊接可靠性和良品率高,可以确保超高频电真空器件气密性要求。
较佳地,所述晶振片的厚度等于所述晶振片与所述金属引线框径向配合间隙。
较佳地,所述焊料的涂布厚度为所述晶振片压在所述焊料表面后高于所述金属引线框的表面0.03mm-0.06mm。
较佳地,在焊接前提供的所述晶振片依次经过重铬酸钾硫酸混合溶液清洗和表面毛化处理。
较佳地,所述支撑台阶的宽度为0.2mm-0.4mm,所述支撑台阶的侧壁厚度为0.2mm-0.4mm。
较佳地,所述焊料在110℃-130℃下进行烘干处理5-6小时。
较佳地,所述焊料为钛锆铜镍焊料。
较佳地,放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接的步骤包括:将放置好的所述晶振片和所述金属引线框放置在真空炉中,在所述真空炉的真空度小于6.65×10-3Pa时进行加热焊接。
较佳地,放置所述晶振片于所述支撑台阶上进行焊接的步骤之后,还包括对所述晶振片、所述金属引线框和所述焊料之间的间隙进行补焊。
附图说明
图1为本发明晶振焊接方法的一个实施例的流程图。
图2为本发明晶振焊接方法的另一个实施例的流程图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的晶振焊接方法作进一步说明,但不因此限制本发明。
请参考图1,本发明的晶振焊接方法的一个实施例包括以下步骤:
S101,提供金属引线框,金属引线框设有支撑台阶;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造