[发明专利]一种电光扫描的OSA在审
| 申请号： | 201711042705.X | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109725472A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;胡豪成;林江铭;李阳 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/29 | 分类号： | G02F1/29 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光纤准直器 标准具 电光偏振器 聚焦阵列 宽带波片 电光 波段 扫描 单光纤准直器 电光偏转器 光线准直器 多光纤头 二维排布 快速扫描 依次设置 出射端 晶体的 扫描角 单模 二维 光谱 宽带 偏振 制作 | ||
1.一种电光扫描的OSA，其特征在于：其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，光纤准直器为单光纤准直器，walk-off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体的出射端设有宽带波片，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。
2.根据权利要求1所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述宽带波片为1/2波片。
3.根据权利要求1所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述准具阵列、聚焦阵列和PD阵列呈一维排布。
4.根据权利要求1所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述第一电光偏振器为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。
5.一种电光扫描的OSA，其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、第二电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列，所述光纤准直器为多光纤准直器，walk-off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光，walk-off晶体的出射端设有宽带波片，第一电光偏振器和第二电光偏振器的偏振方向不同，P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振后，依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。
6.根据权利要求5所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述多光纤准直器采用不同波段的单模或多模光纤制成。
7.根据权利要求5所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述宽带波片为消色散波片。
8.根据权利要求5所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列呈二维排布。
9.根据权利要求5所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述第一电光偏振器、第二电光偏振器均为KTN晶体，KTN晶体的两侧加设有电极。
10.根据权利要求5所述的一种电光扫描的OSA，其特征在于：所述第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振方向相互垂直。
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