[发明专利]存储结构的形成方法、存储结构中通孔的形成方法

权利要求书

1.一种存储器结构中通孔的形成方法，其特征在于，所述存储器结构的堆叠结构包括由层叠的多个堆叠单元组成的堆叠阵列以及覆盖所述堆叠阵列的覆盖层，所述多个堆叠单元在所述堆叠结构的至少一侧形成阶梯结构，该形成方法包括：

在所述覆盖层表面放置第一掩膜版，所述第一掩膜版包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应的所述堆叠单元的深度小于所述第二区域对应的堆叠单元的深度，所述第一区域中刻蚀孔的直径小于所述第二区域中刻蚀孔的直径，使得在后续以所述第一掩膜版为掩膜刻蚀时，所述第一区域的刻蚀速度小于所述第二区域的刻蚀速度；

以所述第一掩膜版为掩膜，对所述覆盖层进行干法刻蚀，在所述覆盖层中形成与所述堆叠单元一一对应的通孔。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一区域，所述堆叠单元对应的通孔深度越大，该通孔对应的刻蚀孔直径越大。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二区域，所述堆叠单元对应的通孔深度越大，该通孔对应的刻蚀孔直径越大。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜版还包括第I区域，I依次为大于2且小于M的任一整数，M为大于2整数，其中，第I区域对应的堆叠单元的深度小于第I+1区域对应的堆叠单元的深度，且大于所述第二区域对应的堆叠单元的深度；

第I区域中刻蚀孔的直径小于第I+1区域中刻蚀孔的直径，且大于所述第二区域中刻蚀孔的直径。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述第I区域，所述堆叠单元对应的通孔深度越大，该通孔对应的刻蚀孔直径越大。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜版的制作方法包括：

提供第一存储器结构，所述第一存储器结构的堆叠结构包括由层叠的多个堆叠单元组成的堆叠阵列以及覆盖所述堆叠阵列的覆盖层，所述多个堆叠单元在所述堆叠结构的至少一侧形成阶梯结构；

在所述第一存储器结构的覆盖层表面放置第二掩膜版，所述第二掩膜版中各刻蚀孔的直径相同；

以所述第二掩膜版为掩膜，对所述覆盖层进行刻蚀，在所述覆盖层中形成与所述堆叠单元一一对应的通孔；

基于所述堆叠单元的对应的通孔深度，调节所述通孔对应的刻蚀孔直径；

利用所述调节后的所述通孔对应的刻蚀孔直径，制作所述第一掩膜版。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜版的制作方法还包括：

提供另一第一存储器结构，所述第一存储器结构的堆叠结构包括由层叠的多个堆叠单元组成的堆叠阵列以及覆盖所述堆叠阵列的覆盖层，所述多个堆叠单元在所述堆叠结构的至少一侧形成阶梯结构；

在所述覆盖层表面所述第一掩膜版；

以所述第一掩膜版为掩膜，对所述覆盖层进行刻蚀，在所述覆盖层中形成与所述堆叠单元一一对应的通孔；

验证所述堆叠单元的对应的通孔深度是否满足预设条件；

当所述堆叠单元的对应的通孔深度不满足预设条件时，基于所述堆叠单元的对应的通孔深度，调节所述通孔对应的刻蚀孔直径，直至所述堆叠单元的对应的通孔深度满足预设条件。

8.一种存储结构的形成方法，其特征在于，该方法包括：

提供所述存储结构的堆叠结构，所述堆叠结构包括由层叠的多个堆叠单元组成的堆叠阵列以及覆盖所述堆叠阵列的覆盖层，所述多个堆叠单元在所述堆叠结构的至少一侧形成阶梯结构；

在所述覆盖层表面放置第一掩膜版，所述第一掩膜版包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应的所述堆叠单元的深度小于所述第二区域对应的堆叠单元的深度，所述第一区域中刻蚀孔的直径小于所述第二区域中刻蚀孔的直径；

以所述第一掩膜版为掩膜，对所述覆盖层进行干法刻蚀，在所述覆盖层中形成与所述堆叠单元一一对应的通孔；

在所述通孔中填充导电材料，形成电连接层。