[发明专利]微型发光二极管显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201711044646.X | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN109728022B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 刘应苍;李玉柱;陈培欣;陈奕静 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种微型发光二极管显示面板,包括:
基板,包括多个接垫;
异方性导电胶膜,设置于所述基板的其中一侧,且覆盖所述多个接垫;以及
多个微型发光二极管,与所述异方性导电胶膜设置于所述基板的同一侧,并通过所述异方性导电胶膜电性连接所述基板,其中所述多个微型发光二极管的每一个包括磊晶层与电性连接所述磊晶层的电极层,且所述多个电极层的每一个位于所述基板与对应的所述磊晶层之间,其中所述多个电极层的每一个的厚度与对应的所述磊晶层的厚度的比值介于0.1至0.5之间,
所述多个电极层分别电性接合于所述多个接垫,其中所述多个电极层的每一个包括第一电极与第二电极,且所述多个磊晶层的每一个具有彼此相对的第一面与第二面,所述多个第一电极的每一个与所述多个第二电极的每一个设置于对应的所述第二面上,且所述多个第二面的每一个面对所述异方性导电胶膜,
其中所述异方性导电胶膜包括绝缘膜层及分散于所述绝缘膜层中的多个导电粒子,且所述多个导电粒子的每一个的粒径小于所述多个微型发光二极管的每一个的所述第一电极与所述第二电极之间的间隙,位于所述多个电极层的每一个与对应的所述接垫之间的所述绝缘膜层中的部分所述多个导电粒子形成接合层,所述多个接合层的每一个配置用以电性连接对应的所述电极层与所述接垫,
其中所述多个接合层的至少其一具有第一透光率,且所述多个接合层的至少另一具有第二透光率,所述第二透光率大于所述第一透光率。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个磊晶层的每一个包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述多个第一型半导体层的每一个与对应的所述第二型半导体层分别位于对应的所述发光层的相对两侧,且所述多个发光层的每一个连接对应的所述第一型半导体层与所述第二型半导体层,其中所述多个第一型半导体层的每一个具有所述第二面,所述多个第一电极的每一个电性接触对应的所述第二面,且所述多个第二电极的每一个通过贯穿对应的所述第一型半导体层与所述发光层的导电通孔电性接触对应的所述第二型半导体层。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个导电通孔的每一个的深度与对应的所述磊晶层的厚度的比值介于0.15至0.35之间。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个微型发光二极管的每一个的边长介于3至100微米之间,且所述多个微型发光二极管的每一个的所述第一电极与所述第二电极之间的间隙介于1至30微米之间。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个微型发光二极管的每一个的所述第一电极与所述第二电极之间的间隙与对应的所述微型发光二极管的边长的比值介于0.1至0.25之间。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个磊晶层的每一个包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述多个第一型半导体层的每一个与对应的所述第二型半导体层分别位于对应的所述发光层的相对两侧,且所述多个发光层的每一个连接对应的所述第一型半导体层与所述第二型半导体层,所述多个第二型半导体层的每一个的端部超出对应的所述发光层与所述第一型半导体层,所述多个第二面的每一个具有分隔的第一子面与第二子面,所述多个第一型半导体层的每一个具有所述第一子面,且所述多个第二型半导体层的每一个的所述端部具有所述第二子面,其中所述多个第一电极的每一个电性接触对应的所述第一子面,且所述多个第二电极的每一个电性接触对应的所述第二子面。
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个接垫的至少其一具有第一厚度,所述多个接垫的至少另一具有第二厚度,且所述第二厚度大于所述第一厚度。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板,其中所述多个接合层至少其一具有第一厚度,且所述多个接合层的至少另一具有第二厚度,所述第二厚度大于所述第一厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的