[发明专利]掩模优化方法及集成电路系统

权利要求书

1.一种掩模优化方法，包括：

接收具有一集成电路图案的一集成电路(IC)设计布局；

根据对应于上述集成电路图案的一目标放置模型，产生多个目标点，其中上述目标放置模型预测经历光学邻近校正(OPC)后的上述集成电路图案的一轮廓的一位置，且其中上述目标放置模型是根据上述集成电路图案的一分类选自多个目标放置模型；以及

在产生上述目标点后，使用上述目标点对上述集成电路图案执行一光学邻近校正工艺，从而产生一修正的集成电路设计布局。

2.如权利要求1所述的掩模优化方法，还包括根据一目标放置规则，产生用于上述轮廓的上述目标点。

3.如权利要求1所述的掩模优化方法，其中上述集成电路图案为一第一集成电路图案，上述目标点为多个第一目标点、上述轮廓为一第一轮廓、上述目标放置模型为一第一目标放置模型，且其中上述集成电路设计布局包括一第二集成电路图案，上述掩模优化方法还包括：

根据一第二目标放置模型，将多个第二目标点分配给对应于上述第二集成电路图案的一第二轮廓，其中上述第二目标放置模型是根据上述第二集成电路图案的分类所选择，且其中上述第二集成电路图案还不同于上述第一集成电路图案，上述光学邻近校正工艺还使用上述第二目标点于上述第二集成电路图案上执行。

4.如权利要求3所述的掩模优化方法，其中上述第一目标放置模型不同于上述第二目标放置模型。

5.如权利要求3所述的掩模优化方法，其中上述光学邻近校正工艺对上述第一目标放置模型的加权不同于对上述第二目标放置模型的加权。

6.如权利要求1所述的掩模优化方法，其中对上述集成电路图案执行上述光学邻近校正工艺包括根据上述集成电路图案的上述分类，选择用于光学邻近校正的一光学邻近校正模型。

7.如权利要求1所述的掩模优化方法，还包括根据上述集成电路图案的上述分类，产生上述集成电路图案的一偏于规则轮廓，其中上述目标点沿着上述偏于规则轮廓放置。

8.如权利要求1所述的掩模优化方法，还包括根据上述修正的集成电路设计布局制造一掩模。

9.一种掩模优化方法，包括：

接收具有多个集成电路图案的一集成电路(IC)设计布局；

剖析每个上述集成电路图案；

分类每个上述集成电路图案；

根据一目标放置模型，对每个上述集成电路图案产生对应于上述集成电路图案的一轮廓的多个目标点，其中上述目标放置模型是根据上述集成电路图案的分类选自多个目标放置模型，且上述目标放置模型预测经历光学邻近校正后的上述集成电路图案的轮廓的一位置；以及

在产生上述目标点后，使用上述目标点对上述集成电路设计布局执行一光学邻近校正(OPC)工艺，从而产生一修正的集成电路设计布局。

10.如权利要求9所述的掩模优化方法，还包括根据上述集成电路图案的分类，对每个上述集成电路图案产生上述集成电路图案的一偏于规则轮廓，其中上述目标点沿着上述偏于规则轮廓放置。

11.如权利要求9所述的掩模优化方法，其中上述目标点的产生是根据一目标放置规则，其中上述目标放置规则是根据上述每个集成电路图案的分类来选择。

12.如权利要求11所述的掩模优化方法，其中上述集成电路图案中的至少两个集成电路图案，是使用不同的目标放置模型所产生，其中上述至少两个集成电路图案为不同的。

13.如权利要求12所述的掩模优化方法，其中上述光学邻近校正工艺使用一光学邻近校正模型，上述光学邻近校正模型对不同的目标放置模型进行加权。