[发明专利]一种高频宽带压控振荡器及其运作方法在审
申请号: | 201711047837.1 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107623492A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 蒋品群;宋树祥;王晓然;连天培;庞中秋 | 申请(专利权)人: | 广西师范大学 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/12 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立,周玉婷 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高频 宽带 压控振荡器 及其 运作 方法 | ||
1.一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,包括:
输入缓冲单元(1),接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元(2);
谐振单元(2),用于根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元(3);
输出缓冲单元(3),用于对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;
负阻单元(4),用于产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元(2)的损耗;
尾电流源单元(5),用于产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元(4)传输至谐振单元(2)。
2.根据权利要求1所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述输入缓冲单元(1)包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元(2)连接。
3.根据权利要求2所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述谐振单元(2)包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。
4.根据权利要求3所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述输出缓冲单元(3)包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;
所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;所述电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。
5.根据权利要求3所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述负阻单元(4)包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6;所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏极均与电源VDD连接,所述PMOS管M1的源极与所述PMOS管M2的栅极连接,所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M1的源极与所述电感L1的一端连接,和所述PMOS管M2的源极分别与所述电感L1的两另一端连接;
所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均与所述尾电流源单元(5)连接,所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M6的源极连接,所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M5的源极连接,所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏极分别与所述电感L1的两端连接。
6.根据权利要求5所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述尾电流源单元(5)包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电容C5、电容C6和电感L5,所述NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连,所述NMOS管M9的源极接入电流源I in;所述NMOS管M9的栅极与所述NMOS管M10的栅极相连,并与NMOS管M11的栅极连接;所述NMOS管M9的漏极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M12的栅极和NMOS管M13的栅极均接入偏置电流源Ibias;所述NMOS管M12的漏极与其栅极连接;所述NMOS管M12的源极分别与所述NMOS管M13的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M11的源极均接地;
所述电容C5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端接地;所述电容C6的一端与所述NMOS管M13的漏极连接,另一端接地;所述电感L5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端与所述NMOS管M13的漏极连接。
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