[发明专利]一种高频宽带压控振荡器及其运作方法在审

专利信息
申请号: 201711047837.1 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107623492A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 蒋品群;宋树祥;王晓然;连天培;庞中秋 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/12
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立,周玉婷
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高频 宽带 压控振荡器 及其 运作 方法
【权利要求书】:

1.一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,包括:

输入缓冲单元(1),接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元(2);

谐振单元(2),用于根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元(3);

输出缓冲单元(3),用于对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;

负阻单元(4),用于产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元(2)的损耗;

尾电流源单元(5),用于产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元(4)传输至谐振单元(2)。

2.根据权利要求1所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述输入缓冲单元(1)包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元(2)连接。

3.根据权利要求2所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述谐振单元(2)包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。

4.根据权利要求3所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述输出缓冲单元(3)包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;

所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;所述电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。

5.根据权利要求3所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述负阻单元(4)包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6;所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏极均与电源VDD连接,所述PMOS管M1的源极与所述PMOS管M2的栅极连接,所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M1的源极与所述电感L1的一端连接,和所述PMOS管M2的源极分别与所述电感L1的两另一端连接;

所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均与所述尾电流源单元(5)连接,所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M6的源极连接,所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M5的源极连接,所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏极分别与所述电感L1的两端连接。

6.根据权利要求5所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述尾电流源单元(5)包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电容C5、电容C6和电感L5,所述NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连,所述NMOS管M9的源极接入电流源I in;所述NMOS管M9的栅极与所述NMOS管M10的栅极相连,并与NMOS管M11的栅极连接;所述NMOS管M9的漏极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M12的栅极和NMOS管M13的栅极均接入偏置电流源Ibias;所述NMOS管M12的漏极与其栅极连接;所述NMOS管M12的源极分别与所述NMOS管M13的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M11的源极均接地;

所述电容C5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端接地;所述电容C6的一端与所述NMOS管M13的漏极连接,另一端接地;所述电感L5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端与所述NMOS管M13的漏极连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西师范大学,未经广西师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711047837.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top