[发明专利]一种高频宽带压控振荡器及其运作方法在审
申请号: | 201711047837.1 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107623492A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 蒋品群;宋树祥;王晓然;连天培;庞中秋 | 申请(专利权)人: | 广西师范大学 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/12 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立,周玉婷 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高频 宽带 压控振荡器 及其 运作 方法 | ||
技术领域
本发明涉及振荡器技术领域,特别涉及一种高频宽带压控振荡器及其运作方法。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展以及人们对通信需求的不断提高,应用于毫米波的无线通信技术已成为近年来研究的热点。因此,作为无线通信中收发机的核心模块,锁相环频率综合器直接影响着整个系统的性能,而压控振荡器则是锁相环频率综合器的核心电路;
压控振荡器(VCO,voltage-controlled oscillator)是指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路。目前,压控振荡器主要有两种实现形式,一种是环形(Ring)压控振荡器,一种是电感电容(LC)压控振荡器。
相位噪声是决定信息传输质量和可靠性的重要参数。因此,VCO的相位噪声己经成为设计中最关心的指标。通常,压控振荡器的噪声源可以分为:器件噪声和外界干扰噪声。其中器件噪声包括热噪声和闪烁噪声,外界干扰噪声包括MOS管的衬底噪声和电源噪声。
压控振荡器的噪声包括三部分:第一部分为谐振回路噪声,第二部分为交叉耦合管的噪声,第三部分为尾电流管的噪声。因此在设计时,要针对这几部分的噪声进行优化和处理。
现有压控振荡器包括:LC谐振模块,由第一电感、第一电容、第二电容组成,用于产生压控振荡器所需振荡频率的振荡信号。负阻电路,采用NMOS差分耦合电路,提供负阻以补偿谐振回路的损耗,以维持振荡。尾电流源电路,采用闪烁噪声较小的PMOS作为尾电流源,提供振荡单元所需的振荡电流。
传统LC压控振荡器,在高频频段上的相位噪声较差,输出幅度较低,远不能满足在毫米波频段上的性能要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种高频宽带压控振荡器及其运作方法,所要解决的技术问题是:在高频频段上的相位噪声较差,输出幅度较低,远不能满足在毫米波频段上的性能要求。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种高频宽带压控振荡器,包括:
输入缓冲单元,接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元;
谐振单元,用于根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元;
输出缓冲单元,用于对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;
负阻单元,用于产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元的损耗;
尾电流源单元,用于产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元传输至谐振单元。
本发明的有益效果是:谐振单元提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作频率范围;采用输出缓冲单元,将谐振单元与后级电路进行缓冲,减小了相位噪声,同时采用共源放大器结构的缓冲电路具有驱动负载的作用;尾电流源单元采用新型威尔逊电流源,并采用大电容滤波技术,其中共源共栅结构能够有效的增加输出阻抗,提高了电流源的精度,有效降低了偶次谐波噪声,满足在毫米波频段上的性能要求。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述输入缓冲单元包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元连接。
采用上述进一步方案的有益效果是:抑制输入电流的二次谐波分量进入交流地,防止恶化谐振回路的Q值。
进一步,所述谐振单元包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。
采用上述进一步方案的有益效果是:提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作范围。
进一步,所述输出缓冲单元包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;
所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。
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