[发明专利]蚀刻组合物

说明书

本发明提供用作TFT‑LCD显示器的电极等的过渡金属膜的蚀刻中使用的蚀刻组合物，根据本发明的蚀刻组合物不仅能够有效螯合蚀刻过渡金属膜时所产生的金属离子而长时间稳定地维持显著提高了的处理张数，而且有效抑制组合物自分解反应，从而尽管在长时间的使用或保存中，也显示蚀刻处理张数没有降低的优异的稳定性。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻组合物，更详细而言，涉及用作TFT-LCD显示器的电极等的过渡金属膜的蚀刻中所使用的蚀刻组合物。

背景技术

一般而言，薄膜晶体管显示板(Thin Film Transistor，TFT)在液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置等中作为用于独立地驱动各像素的电路基板使用。TFT中形成有传递扫描信号的扫描信号配线、或传递栅极配线和像素信号的像素信号线或数据配线，包括与栅极配线和数据配线连接的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极等。形成这样的TFT的配线的过程一般包括：用于形成金属膜的溅射工序；通过光致抗蚀剂涂布、曝光和显影而形成期望图案的光致抗蚀剂的工序；用于形成配线的蚀刻工序；以及形成配线后去除不需要的光致抗蚀剂的剥离工序。

以往，为了制造半导体装置和TFT-LCD的基板，作为TFT的栅极和数据线电极用配线材料，通常使用铝或铝合金层，但为了实现大型显示器，必须减少电极用配线的电阻，为此，试图将作为电阻低的金属的铜和/或钼用于配线形成。由此，对于包含铜和/或钼的配线的蚀刻中使用的蚀刻组合物的研究也正在活跃进行。

为了蚀刻上述含有铜和钼的配线，需求具有强氧化能力的蚀刻液的组成。于是，专利文献1中，作为对于铜膜的蚀刻液，公开了过氧化氢(H2O2)与无机酸或中性盐的混合物，专利文献2公开了包含过氧化氢、铜反应抑制剂、双氧水稳定剂和氟离子的蚀刻液。此外，专利文献3公开了在过氧化氢中加入包括氟化合物、有机分子等的5种添加剂而成的蚀刻液，专利文献4公开了铁(III)六水合物与氟酸(HF)的混合物。但是以往已知的如上述那样的蚀刻液存在如下问题：对于铜膜和其他金属膜的蚀刻速度过快，或者蚀刻后金属图案的锥角超过约90°、即具有倒锥形形状。此外，在铜离子的浓度升高的情况下，铜离子与过氧化氢反应而形成自由基，所形成的自由基使组合物中所含的有机物分解，使蚀刻液的特性发生变化，导致不良率升高等问题。

以下，本发明人为了解决上述以往技术问题，提供蚀刻组合物，该蚀刻组合物能够有效地螯合蚀刻过渡金属配线和/或过渡金属膜时所产生的金属离子，使因增加的金属离子而可能产生的有机物的分解反应最少化，从而完成本发明。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：KR2000-0079355

专利文献2：KR2005-0000682

专利文献3：KR2006-0064881

专利文献4：KR2000-0032999

发明内容

本发明所要解决的课题在于，提供对于用作TFT-LCD显示器的电极等的过渡金属膜的蚀刻有效的蚀刻组合物，提供由于比以往技术更高的选择性而对于过渡金属膜、尤其包含铜和/或钼的金属膜显示出优异的蚀刻特性的蚀刻组合物。

用于解决上述课题的蚀刻组合物的特征在于，包含含有下述化学式1所表示的第一螯合剂和具有2个以上酸基的第二螯合剂的混合螯合剂。

[化学式1]