[发明专利]蚀刻组合物

说明书

本发明提供蚀刻组合物以及利用其的蚀刻方法，本发明的蚀刻组合物包含过氧化氢、助氧化剂、防腐蚀剂和双氧水稳定剂，上述助氧化剂为选自银、铁、铜、镍、锰和铈中的一种以上的离子或者包含这些离子的有机或无机化合物，上述双氧水稳定剂为脂肪族环酮化合物、内酯化合物或它们的混合物。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻组合物，更详细而言，涉及用作TFT-LCD显示器的电极等的金属配线膜的蚀刻中所使用的蚀刻组合物。

背景技术

在半导体装置和TFT-LCD等液晶显示装置的像素电极中，使用钼合金膜和铟氧化膜的单层膜、或者钼合金膜与铟氧化膜的多层膜等。

像素电极一般经由如下一系列光刻(lithography)工序而完成：通过溅射等方法层叠于基板上，并在其上均匀地涂布光致抗蚀剂，然后通过刻有图案的掩模照射光，之后，通过显影形成期望的图案的光致抗蚀剂，然后通过干式或湿式蚀刻将图案转印到位于光致抗蚀剂下部的金属膜后，利用剥离工序将不需要的光致抗蚀剂去除。

在用相同的蚀刻液对上述钼合金膜和铟氧化膜实施蚀刻时，能够简化制造工序，但是，一般而言，钼合金膜存在因耐化学性优异而不易进行湿式蚀刻的问题，此外，存在根据用于蚀刻铟氧化膜的草酸系列的蚀刻液，无法蚀刻钼合金膜的问题。

为了解决上述问题，韩国公开专利第2016-0041873号中公开了如下金属配线膜用蚀刻液组合物：作为主氧化剂，包含过氧化氢；作为助氧化剂，包含选自银(Ag)、铁(Fe)、铜(Cu)、镍(Ni)、锰(Mn)和铈(Ce)中的一种以上的离子或者含有这些离子的有机或无机化合物。但是，在作为上述组成中的助氧化剂使用过渡金属的情况、或者蚀刻物质为过渡金属的情况下，存在因过氧化氢与金属间的芬顿反应(fenton reaction)而过氧化氢被分解、或者蚀刻组合物本身被分解这样的经时组成急剧变化而不稳定的缺点。

韩国公开专利第2010-0040352号中公开了包含过氧化氢、磷酸、磷酸盐、螯合剂、环状胺化合物的过氧化氢系蚀刻组合物。

但是仍然存在引起歧化反应使蚀刻组合物本身分解而不稳定的缺点，特别是，环状胺化合物会与蚀刻铜膜时所产生的铜离子结合，该情况下，蚀刻组合物中存在氯离子时，如果氯离子与上述结合物反应，则会存在产生难溶性析出物等问题。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利第2016-0041873号

韩国公开专利第2010-0040352号

发明内容

本发明提供包含过渡金属助氧化剂和双氧水稳定剂的蚀刻组合物。

本发明提供一种蚀刻组合物，其通过包含助氧化剂和特定的双氧水稳定剂，从而稳定性优异且蚀刻特性提高，本发明的蚀刻组合物包含：过氧化氢、助氧化剂、防腐蚀剂和双氧水稳定剂，上述助氧化剂为选自银、铁、铜、镍、锰和铈中的一种以上的离子或者包含这些离子的有机或无机化合物，上述双氧水稳定剂为脂肪族环酮化合物、内酯化合物或它们的混合物。

根据本发明的一实施例的双氧水稳定剂相对于蚀刻组合物总重量可以包含0.1至5重量％。

优选地，根据本发明的一实施例的脂肪族环酮化合物为下述化学式1的化合物，上述内脂化合物可以为下述化学式2、化学式3或化学式4的化合物。

[化学式1]

[化学式2]

[化学式3]

[化学式4]