[发明专利]一种多重间距曝光图案及其制备方法

权利要求书

1.一种多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一半导体基底，并于所述半导体基底上形成多晶硅层，且所述多晶硅层包括若干个多晶硅单元，所述多晶硅单元之间产生一间隙；

2)对于所述多晶硅单元的侧面进行离子掺杂，使所述多晶硅单元显露于所述间隙的侧部形成为掺杂部，且所述多晶硅单元另具有在相邻于所述掺杂部且未进行离子掺杂的本征部，其中，所述掺杂部的刻蚀速率远小于所述本征部的刻蚀速率；以及

3)采用特定刻蚀选择比对所述本征部进行刻蚀，以去除所述本征部且保留所述掺杂部。

2.根据权利要求1所述的多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，步骤1)中，形成所述多晶硅层的步骤包括：

1-1)于所述半导体基底表面形成一层多晶硅材料层；

1-2)于所述多晶硅材料层表面形成一层光刻胶层，并图形化所述光刻胶层；以及

1-3)以图形化的所述光刻胶层为掩膜对所述多晶硅材料层进行刻蚀，以形成包括若干个所述多晶硅单元的多晶硅层以及位于所述多晶硅层表面的剩余光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，步骤2)中，于各所述多晶硅单元的侧面进行离子掺杂的步骤包括：

2-1)使所述半导体基底处于第一方向倾斜，以所述剩余光刻胶层为掩膜对所述多晶硅层以第一角度进行第一次离子注入，以在各所述多晶硅单元的第一侧面形成第一注入区；

2-2)旋转所述半导体基底至第二方向倾斜，继续以所述剩余光刻胶层为掩膜对所述多晶硅层以第二角度进行第二次离子注入，以在各所述多晶硅单元的第二侧面形成与所述第一注入区相对的第二注入区，其中，所述第一注入区以及所述第二注入区构成所述掺杂部，所述多晶硅单元中未经离子注入的区域构成所述本征部。

4.根据权利要求3所述的多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，所述第一角度和所述第二角度均依据相邻所述多晶硅单元之间的间隙所构成的凹槽的深宽比设定，以控制注入离子达到需要进行注入的区域，从而形成所述第一注入区以及所述第二注入区。

5.根据权利要求3所述的多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，各所述多晶硅单元平行且等间距间隔排布，所述第一方向与所述第二方向的角度差为180°，所述第一角度与所述第二角度相等。

6.根据权利要求3所述的多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，步骤2-1)中，所述第一角度为10°～70°，所述第一次离子注入的注入剂量为5E+13至1E+15原子/平方厘米，注入能量为1～20KeV，所述第一注入区的宽度为3.3～66nm；步骤2-2)中，所述第二角度为10°～70°，所述第二次离子注入的注入剂量为5E+13至1E+15原子/平方厘米，注入能量为1～20KeV，所述第二注入区的宽度为3.3～66nm。

7.根据权利要求2所述的多重间距曝光图案的制备方法，其特征在于，步骤2)中，于各所述多晶硅单元的两侧进行离子掺杂的步骤包括：

2-1)以所述剩余光刻胶层为掩膜，并以垂直式离子注入的方式对所述半导体基底表面所对应的区域进行离子注入，以于各所述多晶硅单元的两侧的形成边缘掺杂区；

2-2)对步骤2-1)所得到的结构进行退火处理，使所述边缘掺杂区进行扩散，以形成所述掺杂部，且各所述多晶硅单元中未经扩散的区域构成所述本征部。