[发明专利]集成电路的失效分析方法及系统

权利要求书

1.一种集成电路的失效分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

对集成电路进行电性测试，并获取第一电性测试数据；

对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理，包括对所述集成电路进行正电荷陷阱消除处理或负电荷陷阱消除处理；

对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据；

若所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差值超过预设差值，则判定所述集成电路是由电荷陷阱引起的失效，包括：若所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤是对所述集成电路进行正电荷陷阱消除处理，则在所述第一电性测试数据大于预设的正常样品漏电阈值，并且所述第二电性测试数据小于或等于所述预设的正常样品漏电阈值时，判定所述集成电路是由正电荷陷阱引起的失效；若所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤是对所述集成电路进行负电荷陷阱消除处理，则在所述第一电性测试数据小于预设的正常样品漏电阈值，并且所述第二电性测试数据大于或等于所述预设的正常样品漏电阈值时，判定所述集成电路是由负电荷陷阱引起的失效。

2.根据权利要求1所述的集成电路的失效分析方法，其特征在于，所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤包括：

控制扫描电镜预设能量条件的电子束，对所述集成电路进行扫描，利用所述电子束对所述集成电路进行电荷陷阱中和处理，以改变所述集成电路的电压电流特性。

3.根据权利要求2所述的集成电路的失效分析方法，其特征在于，

所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤包括对所述集成电路进行正电荷陷阱消除处理，所述预设能量条件为大于1KeV的能量条件。

4.根据权利要求1所述的集成电路的失效分析方法，其特征在于，所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤包括对所述集成电路进行正电荷陷阱消除处理，并且包括:

控制扫描电镜第一预设能量条件的第一电子束，对所述集成电路进行扫描；

对所述第一电子束扫描后的所述集成电路进行电性测试，并获取第一参考电性测试数据；

若所述第一参考电性测试数据大于预设的正常样品漏电值阈值，则控制扫描电镜第二预设能量条件的第二电子束，对所述集成电路进行扫描；其中第二预设能量条件大于第一预设能量条件；

所述对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据的步骤包括：

对所述第二电子束扫描后的所述集成电路进行电性测试，并获取第二参考电性测试数据；

若所述第二参考电性测试数据小于或等于预设的正常样品漏电值阈值，则将所述第二参考电性测试数据作为所述第二电性测试数据。

5.根据权利要求1所述的集成电路的失效分析方法，其特征在于，所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤包括：

采用UV光照工艺或再合金工艺对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理。

6.根据权利要求1-5任一项所述的集成电路的失效分析方法，其特征在于，所述对集成电路进行电性测试的步骤之前，包括：

获取所述集成电路的除电荷陷阱失效之外其他失效信息；

若判断所述其他失效信息均不是引起所述集成电路失效的原因，则识别所述集成电路为需要判断是否存在电荷陷阱的集成电路。

7.根据权利要求1或4所述的集成电路的失效分析方法，其特征在于，所述获取第一电性测试数据的步骤之后，若所述第一电性测试数据大于预设的正常样品漏电值阈值，才执行所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤；所述对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理的步骤包括对所述集成电路进行正电荷陷阱消除处理。

8.一种集成电路的失效分析系统，其特征在于，包括：

第一电性测试设备，用于对集成电路进行电性测试，并获取第一电性测试数据；

电荷陷阱消除设备，用于对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理；

第二电性测试设备，用于对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据；

失效分析设备，分别与第一电性测试设备、第二电性测试设备连接，用于根据所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差值是否超过预设差值，判断所述集成电路是否是由电荷陷阱引起的失效；

其中，所述电荷陷阱消除设备用于对所述集成电路进行正电荷陷阱消除处理，所述失效分析设备用于在所述第一电性测试数据大于预设的正常样品漏电阈值，并且所述第二电性测试数据小于或等于所述预设的正常样品漏电阈值时，判定所述集成电路是由正电荷陷阱引起的失效；或

所述电荷陷阱消除设备用于对所述集成电路进行负电荷陷阱消除处理，所述失效分析设备用于在所述第一电性测试数据小于预设的正常样品漏电阈值，并且所述第二电性测试数据大于或等于所述预设的正常样品漏电阈值时，判定所述集成电路是由负电荷陷阱引起的失效。