[发明专利]集成电路的失效分析方法及系统

说明书

本发明提出一种集成电路的失效分析方法及系统，通过对集成电路进行电性测试，并获取第一电性测试数据，然后对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理，对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据，若所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差异超过预设范围，则判定所述集成电路是由电荷陷阱引起的失效。

技术领域

本发明涉及集成电路失效分析技术领域，尤其涉及一种集成电路的失效分析方法及系统。

背景技术

集成电路因等离子薄膜淀积、等离子刻蚀等工艺缺陷，会在集成电路表面形成电荷陷阱，容易导致集成电路失效。电荷陷阱是集成电路表面效应失效机理的影响因素之一。

目前主要利用失效分析(Failure Analysis，简称FA)方法对集成电路进行失效分析，但是失效分析方法无法直接分析出集成电路表面存在电荷陷阱是导致集成电路失效的原因。

发明内容

基于此，有必要提供一种集成电路的失效分析方法。

一种集成电路的失效分析方法，包括以下步骤：

对集成电路进行电性测试，并获取第一电性测试数据；

对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理；

对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据；

若所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差异超过预设范围，则判定所述集成电路是由电荷陷阱引起的失效。

上述集成电路的失效分析方法，获取集成电路在进行电荷陷阱消除处理之前以及之后的电性测试数据，若前后的电性测试数据的差值超过预设差值，则可分析出集成电路表面存在电荷陷阱是导致集成电路失效的原因。

还提出一种集成电路的失效分析系统，包括:

第一电性测试设备，用于对集成电路进行电性测试，并获取第一电性测试数据；

电荷陷阱消除设备，用于对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理；

第二电性测试设备，用于对所述集成电路进行电性测试，并获取第二电性测试数据；

失效分析设备，分别与第一电性测试设备、第二电性测试设备连接，用于若所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差值超过预设差值，则判定所述集成电路是由电荷陷阱引起的失效。

上述集成电路的失效分析系统，由第一电性测试设备以及第二电性测试设备获取集成电路在进行电荷陷阱消除处理之前以及之后的电性测试数据，若失效分析设备分析出前后的电性测试数据存在差异，则可判定集成电路表面存在电荷陷阱是导致集成电路失效的原因。

附图说明

图1为一个实施例中的一种失效分析方法的流程示意图；

图2为一个具体实施例中电荷陷阱消除处理前的集成电路的电性测试结果的示意图；

图3为另一个实施例中的一种失效分析方法的流程示意图；

图4为一个具体实施例中不同能量条件下的集成电路的电性测试结果的示意图；

图5为再一个实施例中的一种失效分析方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，图1为一个实施例中的一种集成电路的失效分析方法的流程示意图。

本实施例的集成电路的失效分析方法，可包括以下步骤：