[发明专利]控制器以及包括控制器和非易失性存储器件的存储设备有效
申请号: | 201711051759.2 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN108121673B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 禹成勋;黄淳石 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李敬文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制器 以及 包括 非易失性存储器 存储 设备 | ||
一种存储设备包括:非易失性存储器件,被分组布置;以及控制器,分别通过通道与组连接。所述控制器被配置为产生针对所述非易失性存储器件中的非易失性存储器件的访问请求,并且基于所述访问请求,分别通过所述通道中的两个或更多个通道分别向所述组中的两个或更多个组发送访问请求。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年11月29日提交的韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2016-0160785的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
根据示例实施例的装置涉及半导体设备,更具体地涉及控制器和包括控制器和非易失性存储器件的存储设备。
背景技术
存储设备是指在主机设备(例如计算机,智能电话或智能平板)的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在诸如硬盘驱动(HDD)的磁盘上的设备,或者将数据存储在半导体存储器(即非易失性存储器)上的设备,非易失性存储器例如是固态驱动(SSD)或存储卡。
非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器件、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、阻性RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
随着半导体制造技术的发展,与存储设备进行通信的主机设备(例如计算机,智能电话或智能平板)的操作速度得到提高。
此外,存储设备和存储设备的主机设备的中使用的内容的大小不断增加。因此,持续地需要操作速度提高的存储设备。
发明内容
根据示例性实施例,一种存储设备包括:非易失性存储器件,被分组布置;以及控制器,分别通过通道与组连接。所述控制器被配置为产生针对所述非易失性存储器件中的非易失性存储器件的访问请求,并且基于所述访问请求分别通过所述通道中的两个或更多个通道分别向所述组中的两个或更多个组发送访问请求。
根据示例性实施例,一种控制器包括:管理块,被配置为通过通道与外部非易失性存储器件进行通信;以及通道分割块,被配置为:接收对所述外部非易失性存储器件中的非易失性存储器件的访问请求,所述访问请求包括单位长度的物理地址;以及基于所接收的访问请求,分别向所述管理块中的两个或更多个管理块发送用于请求对小于所述单位长度的大小的数据进行通信的访问请求。
根据示例性实施例,一种存储设备包括:非易失性存储器件,被分组布置;以及控制器,分别通过通道与组连接。所述控制器被配置为:形成包括所述通道中的第一通道和第二通道的超级通道;以及关联并同时访问第一通道的第一存储块和第二通道的第二存储块,所述第一存储块和所述第二存储块具有类似的操作特性。
根据示例性实施例,一种控制器包括通道分割块,被配置为:接收包括单位长度的第一物理地址的第一访问命令,所述第一物理地址包括第一非易失性存储器件中的一个的第一存储块的第一块地址;以及将所接收到的第一访问命令分割为第二访问命令和第三访问命令,所述第二访问命令包括小于所述单元长度的分割长度的第二物理地址,所述第二物理地址包括所述第一块地址,所述第三访问命令包括分割长度的第三物理地址,所述第三物理地址包括第二非易失性存储器件中的一个的第二存储块的第二块地址。所述控制器还包括:第一管理块,被配置为通过第一通道向所述第一非易失性存储器件中的所述一个发送所述第二访问命令;以及第二管理块,被配置为通过与第一通道形成超级通道的第二通道向所述第二非易失性存储器件中的所述一个发送所述第三访问命令。
附图说明
图1是示出了根据示例性实施例的存储设备的框图。
图2是示出了根据示例性实施例的存储设备或控制器的操作方法的流程图。
图3是示出了根据示例性实施例的控制器的框图。
图4是示出了根据示例实施例的映射数据的图。
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