[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201711056345.9 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107768417B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 余赟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 孙威;潘中毅 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
无机膜层;
设置在所述无机膜层一侧表面和四周侧的基板膜层,其中:所述基板膜层将所述无机膜层局部包覆;
设置在所述基板膜层上的薄膜晶体管、OLED层和封装层;所述无机膜层的边界与所述基板膜层的边界之间的距离范围在3-10mm之间。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述无机膜层所使用材料的热膨胀系数与所述基板膜层所使用材料的热膨胀系数相同或相近。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述无机膜层的材料为硅或二氧化硅,所述基板膜层的材料为聚酰亚胺。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述无机膜层的厚度尺寸小于所述基板膜层的厚度尺寸;
所述无机膜层的厚度为100-500nm。
5.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在载体基板上沉积无机膜层;
在所述无机膜层上涂布基板膜层,所述基板膜层涂布在所述无机膜层的一侧表面和四周侧,将所述无机膜层局部包覆,所述无机膜层的边界与所述基板膜层的边界之间的距离范围在3-10mm之间;
在所述基板膜层上制备薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上制备OLED层;
在所述OLED层上制备封装层。
6.如权利要求5所述的显示基板的制备方法,其特征在于,还包括:
将所述载体基板剥离,形成显示基板。
7.如权利要求5或6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,沉积所述无机膜层的步骤中,所 述无机膜层的厚度为100-500nm;
所述无机膜层所使用材料的热膨胀系数与所述基板膜层所使用材料的热膨胀系数相同或相近。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-4任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的