[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201711056345.9 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107768417B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 余赟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 孙威;潘中毅 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板,包括:无机膜层;设置在无机膜层一侧表面和四周侧的基板膜层,其中:基板膜层将无机膜层局部包覆;设置在基板膜层上的薄膜晶体管、OLED层和封装层。本发明还公开了一种显示基板的制备方法,包括以下步骤:在载体基板上沉积无机膜层;在无机膜层上涂布基板膜层,基板膜层涂布在无机膜层的一侧表面和四周侧,将无机膜层局部包覆;在基板膜层上制备薄膜晶体管;在薄膜晶体管上制备OLED层;在OLED层上制备封装层。本发明还公开了一种显示装置。实施本发明的显示基板及其制备方法、显示装置,有效减小显示基板的边缘膜层厚度不均匀区域的范围,提高基板使用面积的利用率。
技术领域
本发明涉及显示基板制造领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
塑料聚合物因具备质量轻、可进行大面积涂布、耐高温、透明等优点目前作为柔性显示基板的制备材料广泛应用。
现有技术中显示基板的制作过程通常为:在载体基板8上涂布基板膜层9,如图2所示,为现有技术中显示基板结构一的示意图。该结构存在的技术问题是:由于液体流动产生的表面张力,基板膜层9在烘烤固化后在基板膜层9的边缘区域会形成不均匀的膜层区域9a。例如:图1中涂布基板膜层9的厚度为10μm左右时,不均匀的膜层区域9a的区域范围H大概为3~5mm。
此外,当涂布基板膜层9的厚度增加时,显示基板结构中不均匀的膜层区域9a的区域会增大,如图2所示,为现有技术中显示基板结构二的示意图。当基板膜层9涂布厚度达到15~20μm时,不均匀的膜层区域9a的区域范围T会增大到5~10mm。
综上,现有基板的涂布方式会造成基板边缘的膜层不均匀,存在基板有效利用面积减少的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,有效减小显示基板边缘膜层厚度不均匀区域的范围,提高基板使用面积的利用率。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种显示基板,包括:无机膜层;设置在无机膜层一侧表面和四周侧的基板膜层,其中:基板膜层将无机膜层局部包覆;设置在基板膜层上的薄膜晶体管、OLED层和封装层,无机膜层的边界与基板膜层的边界之间的距离范围在3-10mm之间。
其中,无机膜层所使用材料的热膨胀系数与基板膜层所使用材料的热膨胀系数相同或相近。
其中,无机膜层的材料为硅或二氧化硅,基板膜层的材料为聚酰亚胺。
其中,无机膜层的厚度尺寸小于基板膜层的厚度尺寸,无机膜层的厚度为100-500nm。
为解决上述技术问题,本发明还公开了一种显示基板的制备方法,包括以下步骤:在载体基板上沉积无机膜层;在无机膜层上涂布基板膜层,基板膜层涂布在无机膜层的一侧表面和四周侧,将无机膜层局部包覆,无机膜层的边界与基板膜层的边界之间的距离范围在3-10mm之间;在基板膜层上制备薄膜晶体管;在薄膜晶体管上制备OLED层;在OLED层上制备封装层。
其中,还包括:将载体基板剥离,形成显示基板。
其中,沉积无机膜层的步骤中,述无机膜层的厚度为100-500nm;无机膜层所使用材料的热膨胀系数与基板膜层所使用材料的热膨胀系数相同或相近。
其中,在无机膜层上涂布基板膜层的步骤中,无机膜层的边界与基板膜层的边界之间的距离范围在3-10mm之间。
为解决上述技术问题,本发明还公开了一种显示装置。
实施本发明所提供的显示基板及其制备方法、显示装置,具有如下有益效果,在载体基板上沉积无机膜层;在无机膜层上涂布基板膜层,基板膜层涂布在无机膜层的一侧表面和四周侧,将无机膜层局部包覆,有效减小显示基板的边缘膜层厚度不均匀区域的范围,提高基板使用面积的利用率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的