[发明专利]包括体声波谐振器的滤波器有效
| 申请号： | 201711056803.9 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN108023565B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 成重宇;朴润锡;郑原圭 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙丽妍;金光军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 声波 谐振器 滤波器 | ||
1.一种滤波器，包括：
多层结构，包括膜，并形成体声波谐振器；
盖，容纳所述体声波谐振器，并且结合到所述多层结构；
结合剂，设置在所述多层结构和所述盖之间的结合区域中，并包括依次堆叠在所述多层结构和所述盖之间的至少三个结合层；以及
屏蔽层，设置在所述盖的内表面上，并包括与所述结合层的至少一部分的材料相同的材料，
其中，所述至少三个结合层中的设置在最外面的两个结合层包括与所述屏蔽层的材料相同的材料。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述屏蔽层包括金、铜、银、铂、镍和钯中的一种。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述结合剂促进所述多层结构和所述盖的共晶结合。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述屏蔽层和所述多层结构之间的距离在30μm至45μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述两个结合层包括金、铜、银、铂、镍和钯中的一种。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其中，设置在所述两个结合层之间的结合层包括锡。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述盖的所述屏蔽层和所述多层结构之间的距离在15μm至45μm的范围内。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述屏蔽层被构造为减小引入到所述体声波谐振器中的电磁干扰。
9.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述体声波谐振器形成梯式滤波器。
10.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述体声波谐振器形成晶格式滤波器。
11.一种滤波器，包括：
多层结构，包括膜，并形成体声波谐振器；
盖，容纳所述体声波谐振器，包括具有敞开的底表面的六面体形状，并结合到所述多层结构；以及
屏蔽层，设置在所述盖的内表面上，
其中，所述屏蔽层和所述多层结构之间的距离在15μm至45μm的范围内。
12.根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述屏蔽层和所述多层结构之间的距离在30μm至45μm的范围内。
13.根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述屏蔽层和所述多层结构之间具有容纳所述体声波谐振器的空间。
14.根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述屏蔽层具有0.5μm至1μm的厚度。
15.根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述屏蔽层包括金、铜、银、铂、镍和钯中的一种。
16.根据权利要求15所述的滤波器，所述滤波器还包括设置在所述多层结构和所述盖之间的结合区域中并包括结合层的结合剂。
17.根据权利要求16所述的滤波器，其中，所述结合层的至少一部分包括与所述屏蔽层的材料相同的材料。
18.根据权利要求17所述的滤波器，其中，所述结合剂包括依次堆叠在所述多层结构和所述盖之间的至少三个结合层，并且
所述至少三个结合层中的设置在最外面的两个结合层包括与所述屏蔽层的材料相同的材料。
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