[发明专利]一种硅片扩散后清洗工艺

权利要求书

1.一种硅片扩散后清洗工艺，其特征在于：具体包括以下步骤，

S1：对扩散后的硅片进行酸处理：将硅片浸泡于酸溶液中，所述硅片浸没与所述酸溶液中，浸泡时间为36-60h，且每隔10-15h进行所述酸溶液更换，所述酸处理为氢氟酸处理，所述氢氟酸的浓度为49％-60％；对酸处理后的硅片进行溢水清洗，所述溢水清洗的时间为30-60min，且溢水清洗时的纯水流量为4-10L/min；

S2：对所述酸处理的硅片进行混酸处理；所述混酸处理的具体步骤为：

S21：配置混酸溶液：将硝酸、氢氟酸、乙酸与纯水按照体积比为2000-3000ml∶200-500ml∶100-300ml∶2000-3000ml进行配置；

S22：将硅片置于所述混酸溶液中进行腐蚀处理，腐蚀时间为10-30s；

S23：将经过混酸腐蚀处理的硅片进行纯水清洗，清洗的时间为5-15min，纯水的流量为4-10L/min；

S3：对所述混酸处理的硅片进行有机溶剂处理；所述有机溶剂处理为无水乙醇处理，所述无水乙醇处理包括以下步骤：

S31：将经过混酸处理后的硅片置于无水乙醇中进行脱水处理，脱水时间为10-30s；

S32：将硅片用氮气吹干，并置于烘箱中进行烘干；

S33：对硅片进行检查；

完成有机溶剂处理的硅片进行外观抽样检查，磷面呈灰白色，无明显彩色花纹为合格片，不合格硅片进行返工，重复上述酸处理、水清洗、混酸清洗和有机溶剂清洗，在返工过程中，混酸处理的时间增加，以使硅片达到合格，混酸处理时间为30-60s。