[发明专利]一种硅片扩散后清洗工艺

说明书

本发明提供一种硅片扩散后清洗工艺，具体包括以下步骤，S1：对扩散后的硅片进行酸处理；S2：对所述酸处理的硅片进行混酸处理；S3：对所述混酸处理的硅片进行有机溶剂处理。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在扩散后的清洗更加方便快捷，使得硅片表面的清洁度更易达到生产规格的要求，依次采用氢氟酸清洗、纯水清洗、混酸清洗和纯水清洗，不但能够将硅片表面扩散后的磷硅玻璃和硼硅玻璃去掉，并将扩散后的硅片进行分离，同时能够将硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面的清洁度达到生产规格要求，为后续工序做好准备，采用无水乙醇对硅片进行清洗，使得硅片表面减少颗粒杂质的吸附，进一步保证硅片表面的清洁度。

技术领域

本发明属于硅片生产技术领域，尤其是涉及一种硅片扩散后清洗工艺。

背景技术

随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(Glass passivation process Chip)，即GPP芯片。

GPP芯片在玻钝前需要对硅片进行磷源和硼源的扩散，扩散完成后进行制绒工序，而硅片在扩散完成后还需要进行清洗，将硅片表面清洗干净，同时，将硅片表面扩散后形成的磷硅玻璃和硼硅玻璃去除，为玻钝工序前的硅片表面制绒做准备，目前，扩散后硅片的清洗方式为采用氢氟酸清洗，只是对硅片进行简单的清洗，不能有效去除硅片扩散后形成的磷硅玻璃和硼硅玻璃，弱酸HF不能有效去除Na、K、Ca、Mg、Zn、Al等较活泼金属；经过HF清洗后的硅片表面呈疏水性而不能成为理想的表面，其表面比较活泼而容易吸附颗粒杂质等。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种硅片扩散后清洗工艺，尤其适合对制作GPP芯片的硅片进行扩散后清洗，依次经过氢氟酸清洗、纯水清洗和混酸清洗，将硅片表面的磷硅玻璃和硼硅玻璃去除，将硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面的清洁度达到生产规格要求，采用无水乙醇进行清洗，减少硅片表面颗粒杂质的吸附。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片扩散后清洗工艺，具体包括以下步骤，

S1：对扩散后的硅片进行酸处理；

S2：对酸处理的硅片进行混酸处理；

S3：对混酸处理的硅片进行有机溶剂处理。

进一步的，酸处理具体步骤为将硅片浸泡于酸溶液中，浸泡时间为36-60h，且每隔10-15h进行酸溶液更换。

进一步的，酸处理为氢氟酸处理。

进一步的，步骤S2中的混酸处理中的混酸为按一定比例混合的硝酸、氢氟酸、乙酸和纯水。

进一步的，混酸处理的具体步骤为：

S21：配置混酸溶液：将硝酸、氢氟酸、乙酸与纯水按照体积比为2000-3000ml：200-500ml：100-300ml：2000-3000ml进行配置；

S22：将硅片置于混酸溶液中进行腐蚀处理，腐蚀时间为10-30s；

S23：将经过混酸腐蚀处理的硅片进行纯水清洗。

进一步的，无水乙醇处理包括以下步骤：

S31：将经过混酸处理后的硅片置于无水乙醇中进行脱水处理，脱水时间为10-30s；

S32：将硅片用氮气吹干，并置于烘箱中进行烘干；

S33：对硅片进行检查。

进一步的，有机溶剂处理为无水乙醇处理。