[发明专利]过孔连接结构及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种过孔连接结构的制造方法，包括：

在基板上形成第一导电层，在所述第一导电层上形成第一光阻层，并利用所述第一光阻层对所述第一导电层进行构图形成第一导电图案，且所述第一光阻层形成第一光阻图案，所述第一光阻图案覆盖预定过孔区域；

形成第一绝缘层以覆盖所述第一导电层以及所述第一光阻图案，对所述第一绝缘层进行构图以在所述预定过孔区域形成第一过孔，并暴露出所述第一光阻图案的至少部分；

除去所述第一过孔中暴露出的第一光阻层的所述至少部分，然后形成第二导电层，其中所述第二导电层经所述第一过孔与所述第一导电层连接。

2.如权利要求1所述的过孔连接结构的制造方法，其中，所述第一导电图案与所述第一光阻图案相同。

3.如权利要求1所述的过孔连接结构的制造方法，其中，利用所述第一光阻层对所述第一导电层进行构图形成第一导电图案，包括：

采用半色调掩膜板对所述第一光阻层进行曝光、显影以得到第一刻蚀掩模，采用所述第一刻蚀掩模对所述第一导电层刻蚀以得到所述第一导电层图案，之后对所述第一刻蚀掩模进行灰化工艺以得到在所述第一导电图案之上保留的所述第一光阻图案。

4.如权利要求1所述的过孔连接结构的制造方法，在形成所述第一绝缘层后形成所述第二导电层前，还包括：

在所述第一绝缘层上依次形成第三导电层和第二绝缘层，所述第三导电层与所述预定过孔区域在所述基板上的正投影不重叠；形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所述第一过孔，以及贯穿所述第二绝缘层的第二过孔；所述第二导电层分别经所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一导电层和所述第三导电层连接。

5.如权利要求1-4任意一项所述的过孔连接结构的制造方法，其中，对所述第一绝缘层进行构图包括：

在所述第一绝缘层上形成第二光阻层，对所述第二光阻层进行曝光、显影使得所述第二光阻层形成第二刻蚀掩模，并采用所述第二刻蚀掩模进行刻蚀形成所述第一过孔，去除所述第二刻蚀掩模且同时去除所述第一过孔中暴露的第一光阻层的至少部分。

6.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括过孔连接结构，所述过孔连接结构位于所述阵列基板的扇出区，所述制造方法包括：采用如权利要求1所述的过孔连接结构的制造方法制造所述过孔连接结构。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其中，所述第一导电图案包括第一扇出线，所述第一过孔对应所述第一扇出线形成。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，还包括：对所述第二导电层进行构图形成第二导电图案，所述第二导电图案包括第二扇出线，所述第二扇出线经所述第一过孔与所述第一扇出线连接。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，在形成所述第一绝缘层后形成所述第二导电层前，还包括：在所述第一绝缘层上依次形成包括第三导电图案的第三导电层以及第二绝缘层，其中，所述第一过孔还贯穿所述第二绝缘层；所述第三导电图案还包括导线图案，形成所述第一过孔的同时还形成第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层并暴露所述导线图案的至少部分，所述第二扇出线经所述第二过孔与所述导线图案电连接。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其中，所述第一导电图案还包括栅线和薄膜晶体管的栅极，所述第三导电图案还包括薄膜晶体管的第一极、第二极。

11.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其中，所述第二导电图案还包括与所述第二扇出线绝缘的像素电极；形成所述第一过孔的同时还形成第三过孔，所述第三过孔贯穿所述第二绝缘层并暴露出所述第一极或所述第二极的至少部分，所述像素电极经所述第三过孔与所述第一极或所述第二极的至少部分电连接。

12.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其中，在形成所述第三导电层后形成所述第二绝缘层之间形成包括第四导电图案的第四导电层，

其中，所述第四导电图案包括像素电极，所述像素电极与所述第一极或所述第二极直接接触形成电连接。