[发明专利]一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺

权利要求书

1.一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒，所述一次扩散制绒，包括步骤：

S1-1扩散前处理，对硅片进行减薄；

S1-2磷硼一次扩散，对扩散前处理的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，放入炉内扩散；

S1-3制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础，所述制绒为湿法制绒或激光制绒，所述激光制绒，具体包括以下步骤：

B1.去除扩散后硅片表面形成层：将扩散后的所述硅片置于玻璃腐蚀液中放置3-10min，将所述硅片进行清洗并甩干；

B2.激光制绒：清洗后的所述硅片使用激光在所述硅片表面扫描，将所述硅片光滑表面制成粗糙表面；

B3.制绒后清洗：所述硅片制绒后，设于HF溶液浸泡清洗，HF溶液清洗后进行溢水清洗并甩干；

S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源；

所述S2步骤铂扩散包括步骤：

S2-1铂扩散前处理，对磷硼一次扩散制绒后的硅片打砂并清洗；

S2-2铂扩散，对铂扩散前处理后的硅片单面铂扩散；

S2-3铂扩散后检验，对铂扩散后的硅片进行trr测试。

2.根据权利要求1所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述玻璃腐蚀液为氢氟酸铵、草酸、硫酸铵、甘油、硫酸钡和热纯水按体积比例为6-10:8-15:20-30:4-15:10-22:110-120的比例混合形成的溶液。

3.根据权利要求1所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述铂扩散前处理包括扩硼面单面打砂。

4.根据权利要求1所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述S2-2步骤铂扩散包括步骤：

S2-2-1涂铂扩散源：采用涂源工艺对打砂面涂铂扩散源并烘干；

S2-2-2常压扩散：所述硅片置于扩散炉内，所述扩散炉维持常压。

5.根据权利要求1所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述S2-3步骤铂扩散后检验的检验标准是0.035μs≤trr≤0.50μs。

6.根据权利要求1所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述S1-2步骤磷硼一次扩散，具体包括步骤：

S1-2-1印刷磷硼扩散源，采用丝网印刷技术对扩散前处理后的所述硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源，每印刷完一面所述硅片均需进行烘干；

S1-2-2将所述硅片两面喷洒上Al2O3粉末或硅粉；

S1-2-3低压扩散，所述硅片置于扩散炉内，将所述扩散炉内气压抽至负压。

7.根据权利要求6所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述低压扩散为恒温扩散，扩散温度1250℃-1300℃。

8.根据权利要求1所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述湿法制绒具体包括步骤：

A1.扩散后处理，清除扩散后硅片表面磷硼硅玻璃；

A2.将处理后的硅片置于50～70℃的第一级清洗液中放置3-10min，纯水清洗10～20min；

A3.将硅片置于70～90℃的第二级清洗液中放置20-30min，纯水清洗10～20min；

A4.将硅片置于70～90℃的第三级清洗液中放置3-10min，纯水清洗10～20min；

A5.将清洗后的所述硅片甩干，并进行表面粗糙度测试。

9.根据权利要求8所述的FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，其特征在于：所述第一级清洗液为双氧水、纯水和质量分数为30％的氢氧化钾溶液按照体积比为6～10:110～120:1～8的比例混合形成的溶液。