[发明专利]一种硅片激光与碱液结合制绒工艺有效
申请号: | 201711059127.0 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755102B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 李亚哲;黄志焕;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/268;C30B33/10;C30B33/04 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 激光 结合 工艺 | ||
1.一种硅片激光与碱液结合制绒工艺,其特征在于:对激光制绒后的硅片进行碱性溶液制绒,将激光制绒后的硅片置于碱性溶液中进行湿法腐蚀制绒,所述碱性溶液的温度为常温;
在激光制绒之前还包括去除扩散后的硅片的表面形成层:包括以下步骤:
S10:将扩散后的硅片浸泡在玻璃腐蚀液中,浸泡时间为0.5-4h,去除扩散后的硅片表面的磷、硼硅玻璃,该玻璃腐蚀液为按一定比例混合的氢氟酸铵、草酸、硫酸铵、甘油、硫酸钡和热纯水,该混合比例为按重量比例为20-30%:10-20%:10-20%:0-10%:20-30%:10-20%的比例进行混合;
S11:对浸泡玻璃腐蚀液后的硅片进行超声清洗,去除硅片表面的玻璃腐蚀液,超声清洗的时间一般为5-30min;
S12:超声清洗后的硅片进行水清洗,所述水清洗为一次溢水清洗,所述一次溢水清洗的时间为5-30min;
S13:将S12步骤中的溢水清洗后的硅片进行硝酸清洗,硝酸清洗的时间为5-30min;
S14:将硝酸清洗后的硅片进行四次溢水清洗,四级溢水清洗的时间均为5-30min;
S15:将溢水清洗后的硅片应用甩干机进行甩干;
所述硅片激光制绒的具体步骤为:对去除表面形成层的硅片的双面依次进行激光扫描,在对硅片进行激光扫描时,硅片放置在常温常压下,放置在空气中,将清洗后的硅片放置于激光器的工作平台上,应用激光器对硅片表面进行扫描,该激光器进行扫描时,激光器的激光光束从左至右进行直线线性扫描,激光光束是在硅片的表面从上至下依次进行直线线性扫描,将整个硅片表面全部扫描一遍。
2.根据权利要求1所述的硅片激光与碱液结合制绒工艺,其特征在于:所述碱性溶液为按一定比例混合的氢氧化钾、添加剂和纯水。
3.根据权利要求2所述的硅片激光与碱液结合制绒工艺,其特征在于:所述氢氧化钾、添加剂和纯水的混合比例为0.1-1:0.01-1:1-10。
4.根据权利要求1所述的硅片激光与碱液结合制绒工艺,其特征在于:所述硅片碱性溶液制绒后还进行硅片的制绒后清洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造