[发明专利]一种硅片激光与碱液结合制绒工艺有效
申请号: | 201711059127.0 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755102B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 李亚哲;黄志焕;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/268;C30B33/10;C30B33/04 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 激光 结合 工艺 | ||
本发明提供一种硅片激光与碱液结合制绒工艺,包括以下步骤:S1:对扩散后的硅片进行激光制绒;S2:对激光制绒后的硅片进行碱性溶液制绒。本发明的有益效果是采用按一定比例配置的玻璃腐蚀液去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃,为激光制绒做好准备,采用激光制绒工艺,其制作过程简便快捷,且不受使用环境限制;通过激光制绒,在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅,提高硅片表面的粗糙度,且采用激光制绒,制绒步骤简单,设备投入成本少;通过碱性溶液对激光制绒后的硅片进行湿法腐蚀,使得硅片表面的粗糙度进一步增大,使得保护胶不易脱落,具有较大的附着力。
技术领域
本发明属于硅片生产技术领域领域,尤其是涉及一种硅片激光与碱液结合制绒工艺。
背景技术
随着半导体技术的发展,对半导体表面钝化的要求越来越高,作为钝化材料,应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求,半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(Glass passivation process Chip),即GPP芯片。
目前,行业内GPP芯片所用的硅片制绒采用的方法为干法打砂制绒,使用石英砂经过高速喷出,对硅片表面进行打磨,使得硅片表面粗糙度增大。但是,采用干法打砂工艺制绒具有明显的缺点是,采用干法打砂制绒的硅片,硅片受力较大,使得硅片容易破碎,且制绒效果不明显,粗糙度较小,且工艺流程复杂,投入成本较大。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种硅片激光与碱液结合制绒工艺,尤其适合GPP芯片在扩散后进行制绒时使用,通过激光制绒,在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅,通过碱性溶液制绒,对硅片表面的熔融多晶硅进行湿法腐蚀,提高硅片表面的粗糙度,为后续硅片玻钝工艺中保护胶的喷涂提供较大的附着力。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种硅片激光与碱液结合制绒工艺,对激光制绒后的硅片进行碱性溶液制绒。
进一步的,硅片碱性溶液制绒的具体步骤为:将激光制绒后的硅片置于碱性溶液中进行湿法腐蚀制绒。
进一步的,碱性溶液为按一定比例混合的氢氧化钾、添加剂和纯水。
进一步的,氢氧化钾、添加剂和纯水的混合比例为0.1-1:0.01-1:1-10。
进一步的,在激光制绒后的硅片碱性溶液制绒之前还包括去除扩散后的硅片的表面形成层和对扩散后的硅片进行激光制绒。
进一步的,硅片激光制绒的具体步骤为:对去除表面形成层的硅片的双面依次进行激光扫描。
进一步的,步骤S2后还进行硅片的制绒后清洗。
本发明具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案,采用按一定比例配置的玻璃腐蚀液去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃,为激光制绒做好准备,采用激光制绒工艺,其制作过程简便快捷,且不受使用环境限制;在制绒过程中不会产生有毒气体,避免了对工人的身体健康和环境带来的不利影响;其能大大提升工艺过程的速度,具有很好的产业化前景;通过激光制绒,在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅,提高硅片表面的粗糙度,且采用激光制绒,制绒步骤简单,设备投入成本少;通过碱性溶液对激光制绒后的硅片进行湿法腐蚀,使得硅片表面的粗糙度进一步增大,使得保护胶不易脱落,具有较大的附着力。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对发明作进一步的说明。
如图1所示,本发明涉及一种硅片激光与碱液结合制绒工艺,具体包括以下步骤:
S1:对扩散后的硅片进行激光制绒;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司,未经天津环鑫科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711059127.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成膜方法
- 下一篇:一种减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造