[发明专利]功率晶体管表面钝化装置有效
| 申请号： | 201711059707.X | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107887304B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 魏广乾 | 申请（专利权）人： | 重庆凯西驿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 401147 重庆市渝北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 表面 钝化 装置 | ||
1.功率晶体管表面钝化装置，其特征在于：包括反应管、套设于反应管外的外管、设于反应管和外管之间的中管和驱动中管转动的电机；所述反应管和外管之间为除尘腔，除尘腔的上端封口；所述反应管和中管之间为除尘通道，除尘通道中部的横截面面积小于除尘通道两端及反应管内腔的横截面面积，除尘通道的上端与除尘腔连通；中管的下端封口，反应管的上下两端均开口，且中管与反应管转动连接，反应管的下端与除尘通道的下端连通，中管下端的内壁上固定有导流扇叶，导流扇叶位于反应管下端面上方，反应管的侧壁上设有与除尘通道中部连通且直径为3-5mm除尘孔，反应管内设有与反应管固定并位于除尘孔下方的托盘；所述反应管的顶部设有盖体，盖体上设有与NH3气源连通的进气孔，反应管外周缠绕有感应线圈。
2.根据权利要求1所述的功率晶体管表面钝化装置，其特征在于：所述中管的外壁上固定有位于除尘腔内的螺旋片，所述外管的内壁上可拆卸连接有多孔的吸附层。
3.根据权利要求2所述的功率晶体管表面钝化装置，其特征在于：所述托盘呈环状，托盘的外缘固定在反应管侧壁上。
4.根据权利要求3所述的功率晶体管表面钝化装置，其特征在于：所述外管的下端固定有水槽，外管下端伸入水槽内。
5.根据权利要求4所述的功率晶体管表面钝化装置，其特征在于：所述反应管内腔的横截面面积为除尘通道中部横截面面积的6-8倍。
6.根据权利要求5所述的功率晶体管表面钝化装置，其特征在于：所述多孔的吸附层为海绵层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
