[发明专利]功率晶体管表面钝化装置

说明书

本申请涉及晶体管加工领域，具体公开了一种功率晶体管表面钝化装置，其包括反应管、套设于反应管外的外管和设于反应管和外管之间的中管；反应管和外管之间为除尘腔；反应管和中管之间为除尘通道，除尘通道中部的横截面收缩，除尘通道的上端与除尘腔连通；中管的下端封口，反应管的上下两端均开口，中管与反应管转动连接，反应管的下端与除尘通道的下端连通，中管下端的内壁上固定有导流扇叶，导流扇叶位于反应管下端面上方，反应管上设有与除尘通道中部连通的除尘孔，反应管内设有与反应管固定并位于除尘孔下方的托盘；反应管的顶部设有盖体，盖体上设有与NH₃气源连通的进气孔，反应管外周缠绕有感应线圈。该装置可在反应管内对台面管进行除尘。

技术领域

本发明涉及晶体管加工领域，具体涉及一种功率晶体管表面钝化装置。

背景技术

我司生产的功率模块晶体管，主要用于低频放大、振荡和稳压电路中。一般说来，功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下，因此要求其具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，而普通的功率模块晶体管由于受技术的限制，普遍具有体积小、散热性差、芯片可利用率低等缺陷，从而导致产品质量不稳定，使用寿命偏低。因此，我司通过技术攻关，采用台面制造工艺以及模块封装技术，可以使器件面积基本不变的情况下容量提高两到三倍，且具有更好的散热性能、电性能、集成性能、可靠性能和瞬态抑制性能，从而有效解决普通功率模块晶体管体积小、散热性差、芯片可利用率低等问题，达到延长产品使用寿命，提高产品质量的目的。

我司通过采用台面工艺制造功率模块晶体管，能够轻松地通过穿通型结构和局部少子寿命控制来完善普通晶体管无法达到的高频低损耗特性。相对于平面管来说，台面管更容易受到外部杂质的沾污而导致器件性能破坏，如果采用传统钝化膜生长工艺，将不能有效地防止湿气及杂质的侵袭，从而导致管芯的电参数不稳定，且对温度变化敏感。而采用PECVD氮化硅钝化技术进行台面钝化，由于其具有淀积温度低，台阶覆盖性好，生长的氮化硅结构致密，针孔缺陷少，具有良好的抗钠离子沾污和抗潮性等优点，能有效地提高器件的合格率和可靠性。

目前,采用PECVD氮化硅钝化技术对台面管进行钝化处理时,需先对台面管的表面进行除尘，以防止粘附在台面管表面的杂质、灰尘影响钝化膜的生长；完成除尘后，通入NH₃气体，并加热至300～350℃进行钝化处理。现有的除尘方式是通过气枪对台面管的表面进行吹风，以吹除表面灰尘；但在处理台面管表面的灰尘时，不能在PECVD氮化硅钝化装置内进行，以防止灰尘残留在PECVD氮化硅钝化装置；而在PECVD氮化硅钝化装置外部进行除尘，再将台面管移入PECVD氮化硅钝化装置内，由于空气中悬浮有尘埃，在将台面管移入PECVD氮化硅钝化装置的过程中，也极有可能导致尘埃再次吸附在台面管上。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可在钝化装置内部进行除尘的功率晶体管表面钝化装置。

为达到上述目的，本发明的基础方案如下：

功率晶体管表面钝化装置包括反应管、套设于反应管外的外管、设于反应管和外管之间的中管和驱动中管转动的电机；所述反应管和外管之间为除尘腔，除尘腔的上端封口；所述反应管和中管之间为除尘通道，除尘通道中部的横截面面积小于除尘通道两端及反应管内腔的横截面面积，除尘通道的上端与除尘腔连通；中管的下端封口，反应管的上下两端均开口，且中管与反应管转动连接，反应管的下端与除尘通道的下端连通，中管下端的内壁上固定有导流扇叶，导流扇叶位于反应管下端面上方，反应管的侧壁上设有与除尘通道中部连通且直径为3-5mm除尘孔，反应管内设有与反应管固定并位于除尘孔下方的托盘；所述反应管的顶部设有盖体，盖体上设有与NH₃气源连通的进气孔，反应管外周缠绕有感应线圈。

本方案功率晶体管表面钝化装置的原理在于：