[发明专利]抗衰减电容器薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及金属化电容器用薄膜的镀层结构，特别涉及抗衰减电容器薄膜。

背景技术

任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。而依塑料薄膜的种类又被分别称为聚乙酯电容(又称Mylar电容)，聚丙烯电容(又称PP电容)，聚苯乙烯电容(又称PS电容)和聚碳酸电容。

薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。它的主要等性如下：无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。基于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份，必须使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。

现代开关电源，以及变频电源的大量运用，但其功率因素也仅仅只能达到0.80左右，其主要原因是由于大容量电容平滑电路使用的关系，电源设备，照明设备等PFC(Power Factor Correction功率因数校正)回路使用的薄膜电容器,针对保证安全，薄膜高方阻等技术的发展，以及每年都向小型化发展的趋势。目前使用的传统金属化薄膜电容器使用的薄膜T型隔离带，当使用此类薄膜的金属化薄膜电容器的时候被异常电压应加以后，薄膜本身有缺陷或材料本身阻抗不良的情况下，缺陷点上的材料由于温度的骤升引起隔离带之间的安全钮(或简称保险丝)会断裂以及烧损等现象的发生，当有绝缘阻抗不良的情况下，由于高温引起安全钮连接处薄膜处蒸渡的金属层蒸发，引起的容量减少的情况，当薄膜厚度对应耐电压相对应80v/μm以上特别明显。

发明内容

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：抗衰减电容器薄膜，包括基膜、金属层和硅油保护层，所述金属层设置在所述基膜上，所述硅油保护层覆盖于所述金属层上，所述基膜上设有多个“干”形隔离带，所述基膜的一侧的边缘设有条形隔离带，每个所述“干”形隔离带包括一条纵向隔离带和两条相互平行的横向隔离带，所述纵向隔离带的一端贯穿其中一条横向隔离带后与另一条横向隔离带连通，所述纵向隔离带的另一端与所述条形隔离带相连通，所述金属层包括第一铝镀层和锌镀层。

进一步地，所述金属层还包括第二铝镀层，所述的第一铝镀层和第二铝镀层均为采用磁控溅射技术溅射而成的镀膜层。

进一步地，所述的锌镀层具有下凸形加厚区，所述基膜的宽度为9mm-620mm，所述的锌镀层凸形加厚区为10-20mm。

进一步地，所述的基膜的厚度为3-15μm。

可替换地，所述多个“干”形隔离带对称设置在所述基膜的中线两侧。

进一步地，所述的基膜为1-60个，所述的第二铝镀层具有上凸形加厚区。

所述下凸形加厚区位于所述锌镀层的中心。

所述上凸形加厚区位于所述第二铝镀层的中心。

进一步地，所述的第二铝镀层的方阻为6～12Ω/sq。

进一步地，所述的第一铝镀层的方阻为6～12Ω/sq。

可替换地的，所述基膜的相对的两侧的边缘均设有条形隔离带，所述设置在基膜中线两侧的“干”形隔离带的尾部分别与位置相对应的条形隔离带相连通。

进一步的，所述基膜采用聚酯薄膜或聚丙烯薄膜制成。

为提高等离子体密度和溅射镀膜速率，磁控溅射技术溅射镀膜为采用气体放电产生等离子体，经电场加速的等离子体中的离子轰击基膜单元，在基膜层上顺序沉积而成；磁控溅射是在基膜单元面加上跑道磁场以控制电子的运动，延长其在基膜单元面的行程，加快溅射镀膜的沉积。

溅射镀膜具体为阳极上放置工件，与直流电源的正极连接。通常是将镀膜室接地，并与阳极连结，阴极上装置靶材，与直流电源的负极连接。等离子体中的离子被阴极暗区的电场加速后，飞向阴极轰击靶材。离子轰击靶材时，发生两种与溅射镀膜有关的物理现象。首先是离子将原子击出靶面，产生溅射原子。溅射镀膜就是由这些溅射原子在基膜上沉积实现的。其次是，离子将原子击出靶面，产生二次电子。二次电子被阴极暗区的电场加速，成为载能的快电子，快电子与氩气碰撞产生电离，并渐渐损失能量变成热电子。溅射镀膜所依赖的等离子体，就是由快电子，尤其是热电子与氩气的碰撞电离来维持的。

第二铝镀层放在大气中和氧接触，产生一层致密的氧化层，隔绝里边的锌铝镀层与大气接触，提高金属化膜的抗氧化性能。保证了电容器用金属化薄膜的高品质，降低金属化薄膜由于耐压不足和表面氧化从而造成电容器废品的问题。