[发明专利]一种背接触式太阳电池组件及制备方法在审
申请号: | 201711062891.3 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107863396A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 路忠林;吴仕梁;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳电池 组件 制备 方法 | ||
1.一种背接触式太阳电池组件,其特征在于:背接触式太阳电池上设有划片位置线,沿划片位置线可将背接触式太阳电池分割成数个相同的分片电池单元,每个分片电池单元的两长边侧分别设有一列正电极点和一列负电极点,正电极点和负电极点关于分片电池单元轴对称;相邻的两个分片电池单元的相邻的正电极点和负电极点关于分片划片位置线对称;在互联封装成组件时,将相邻分片电池单元位于划片位置线两侧的相邻的每对正电极点和负电极点分别互联成串;
互联成串的分片电池单元再进行串并联设置,以形成完整的组件电路,所述组件电路可制成完整的太阳电池组件成品。
2.如权利要求1所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:背接触式太阳电池组件为N型全背接触式电池组件,N型全背接触式电池背面印刷有一列正电极汇流点、一列负电极汇流点、与每个正电极汇流点对应的梳齿状正电极栅线和与每个负电极汇流点对应的梳齿状负电极栅线,N型全背接触式电池上设有划片位置线,划片位置线可将N型全背接触式电池分割成多个相同的分片电池单元;正电极汇流点和负电极汇流点分别设置在分片电池单元两长边侧,且正电极汇流点和负电极汇流点关于分片电池单元轴对称,相邻分片电池单元位于划片位置线两侧的相邻的每对正电极汇流点和负电极汇流点分别互联,互联成分片电池单元串,分片电池单元串进行串并联设置以形成完整的组件电路,所述组件电路通过后续现有的层压、装接线盒等工序后制成完整的太阳电池组件成品。
3.如权利要求1所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:相邻分片电池单元上位于划片位置线两侧的相邻的每对正电极点和负电极点分别通过互联条直线互联成分片电池单元串。
4.如权利要求3所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:互联条是焊带或者金属薄片,互联条通过焊接或者导电胶粘接正电极点和负电极点。
5.如权利要求1所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:相邻分片电池单元上位于划片位置线两侧的相邻的每对正电极点和负电极点分别通过焊带焊接互联,焊带厚度优选在0.05~0.3mm,宽度在0.2~2mm。
6.如权利要求1所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:2~500片分片电池单元串联成分片电池单元串,2~10串分片电池单元串分别通过并联和串联以形成完整的组件电路。
7.如权利要求1所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:背接触式太阳电池为P型金属缠绕穿透背接触式电池,P型金属缠绕穿透背接触式电池上设有划片位置线,沿划片位置线可将P型金属缠绕穿透背接触式电池分割成多个相同的分片电池单元,每个分片电池单元的两长边侧分别设有一列正电极点和一列负电极点,正电极点和负电极点关于分片电池单元轴对称;P型金属缠绕穿透背接触式电池背面印刷有铝背场,正电极点通过铝背场汇集电流,负电极点通过激光孔洞汇集正面栅线电流;
相邻的两个分片电池单元相邻的正电极点和负电极点关于分片划片位置线对称;相邻分片电池单元位于划片位置线两侧的相邻的每对正电极点和负电极点分别互联。
8.如权利要求3所述的背接触式太阳电池组件,其特征在于:互联条是铜箔,铜箔厚度为0.01~0.1mm,宽度为0.2~2mm,电极点和铜箔之间通过导电胶或者锡膏进行粘接或焊接。
9.一种背接触式太阳电池组件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在背接触式太阳电池上制作分片电池单元与分片电池单元之间的划片位置线,在每个分片电池单元的两长边侧上分别制作一列正电极点和一列负电极点,正电极点和负电极点关于分片电池单元轴对称;相邻的两个分片电池单元相邻的正电极点和负电极点分片划片位置线对称;
(2)沿划片位置线进行划片,将大片电池片划成若干个相同的分片电池单元;
(3)将分片电池单元组装成组件时,将相邻的分片电池单元顺序排列整齐,用互联条分别连接相邻分片电池单元之间的正负电极点,形成分片电池单元串,电池单元串并联后可串联其他分片电池单元串以得到需要的组件额定功率、工作电流和电压的电池;
(4)将上述互联后的电池封装成完整的组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的