[发明专利]一种IGBT合封单管在审
| 申请号： | 201711063304.2 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109755305A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李向凯;夏玉龙;李春林 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L25/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻芯片 门极 二极管芯片 发射极 单管 导电底板 陶瓷覆铜板 金属端子 集电极 阴极 阳极 静电 悬空 传递 运输 | ||
1.一种IGBT合封单管，其特征在于，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；
所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；
所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；
所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；
所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。
2.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述导电底板为铜底板。
3.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述陶瓷覆铜板包括陶瓷层以及分别制备在所述陶瓷层正面和背面的铜层，所述电阻芯片固定在所述正面的铜层表面。
4.根据权利要求3所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述电阻芯片的一端通过所述正面铜层表面的金属连接线与所述IGBT芯片的门极相连。
5.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极之间、所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极之间、所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极之间均通过金属连接线相连。
6.根据权利要求4或5所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述金属连接线为铝丝。
7.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述IGBT芯片和二极管芯片通过焊料焊接固定在所述导电底板上。
8.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述二极管芯片为快恢复二极管芯片。
9.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述IGBT合封单管还包括塑封件，所述塑封件灌封在所述导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片以及电阻芯片的外周部。
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