[发明专利]一种IGBT合封单管

说明书

本发明提供一种IGBT合封单管，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。本发明通过在所述IGBT芯片的门极和发射极之间添加电阻芯片，可防止门极悬空，从而降低在运输、传递和使用过程中由于门极静电所造成IGBT单管损坏的风险。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种IGBT合封单管。

背景技术

IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的英文缩写，IGBT根据封装不同可以分为IGBT模块和IGBT单管，IGBT单管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT合封单管是一种标准尺寸的产品，由于其优越的开关性能被广泛的应用于电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域。

由于IGBT是栅极敏感器件，容易受到来自栅极的静电造成失效。而目前公开的IGBT合封单管，采用在管脚位置增加外壳进行防静电保护。但是客户在使用IGBT合封单管时，需要手动将IGBT合封单管取出，然后进行电路连接。在电路连接过程中，IGBT合封单管本身处于不进行防静电保护措施的状态，在此时间内对产品的触摸、焊接、运输均存在静电击穿的风险。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种IGBT合封单管，用于解决现有技术中的IGBT合封单管在运输和使用等过程中容易出现静电击穿的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种IGBT合封单管，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；

所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；

所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；

所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；

所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。

作为本发明IGBT合封单管的一种优化的方案，所述导电底板为铜底板。

作为本发明IGBT合封单管的一种优化的方案，所述陶瓷覆铜板包括陶瓷层以及分别制备在所述陶瓷层正面和背面的铜层，所述电阻芯片固定在所述正面的铜层表面。

作为本发明IGBT合封单管的一种优化的方案，所述电阻芯片的一端通过所述正面铜层表面的金属连接线与所述IGBT芯片的门极相连。

作为本发明IGBT合封单管的一种优化的方案，所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极之间、所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极之间、所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极之间均通过金属连接线相连。

作为本发明IGBT合封单管的一种优化的方案，所述金属连接线为铝丝。