[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

受光元件，所述受光元件包括锗层；以及

插塞，所述插塞电容耦合到所述锗层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括介于所述锗层和所述插塞之间的绝缘膜。

3.如权利要求2所述的半导体器件，

其中所述绝缘膜具有比氧化硅膜高的介电常数。

4.如权利要求2所述的半导体器件，

其中所述绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括介于所述锗层和所述插塞之间的本征硅膜。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述锗层和所述插塞之间的硅膜，所述硅膜与所述锗层接触并掺杂有导电杂质；以及

与所述硅膜接触的本征硅膜。

7.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述锗层和所述插塞彼此不直接接触。

8.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述受光元件具有转换光信号和电信号的光电转换功能。

9.如权利要求8所述的半导体器件，

其中所述插塞充当通过对输入到所述锗层的光信号进行光电转换而产生的电信号的传输线。

10.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述受光元件是光电二极管。

11.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述受光元件耦合到硅波导。

12.一种半导体器件，包括：

受光元件，所述受光元件包括锗层；

插塞，所述插塞与所述锗层分离；以及

绝缘膜，所述绝缘膜介于所述锗层和所述插塞之间。

13.一种半导体器件，包括：

受光元件，所述受光元件包括锗层；

插塞，所述插塞与所述锗层分离；以及

本征硅膜，所述本征硅膜介于所述锗层和所述插塞之间。

14.如权利要求13所述的半导体器件，还包括与所述锗层接触并掺杂有导电杂质的硅膜，并且

所述本征硅膜与所述硅膜接触。

15.如权利要求14所述的半导体器件，

其中所述硅膜是掺杂有n型杂质的n型硅膜。